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热门搜索： python HarmonyOS 嵌入式 电源 C语言 华为 电子竞赛 单片机 PCB
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  • 复杂数字电路与系统的Verilog HDL设计技术chap0.pdf
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    大小：359.75KB
    时间：2021.04.26
    上传者：Argent
    随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。
    复杂 数字 电路与系统 verilog hdl 设计技术 chap0pdf
  • 系统时序基础理论.pdf
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    下载：3
    大小：359.71KB
    时间：2021.04.26
    上传者：Argent
    随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。
    系统 时序 基础 理论 pdf
  • A33-V2核心板引脚说明.pdf
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    大小：358.51KB
    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    A33V2 核心板 引脚 说明 pdf
  • DDR的设计资料
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    大小：358.46KB
    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    PC1600andPC2100DDRSDRAMUnbufferedDIMMDesignSpecificationRevision1.1June29,2001
  • M5218.pdf
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    大小：358.06KB
    时间：2021.04.23
    上传者：Argent
    音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。
    M5218pdf
  • 对移动站CDMA操作之发射机的要求（免费）
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    大小：358KB
    时间：2020.02.20
    上传者：givh79_163.com
    对移动站CDMA操作之发射机的要求6.1对移动站CDMA操作之发射机的要求6.1.1频率参量（FrequencyParameters）6.1.2输出功率特性（PowerOutputCharacteri
    对移 动站 操作
  • 【Si1553CDL-T1-GE3-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
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    大小：357.23KB
    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    Si1553CDL-T1-GE3详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A(N沟道),-1.5A(P沟道)-导通电阻：130mΩ@4.5V(N沟道),230mΩ@4.5V
    Si1553CDLT1GE3VB NP 沟道 SC706 封装 mos datasheet
  • 电子负载.doc
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    大小：357KB
    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    电子负载 doc
  • EDA_9_Logic_synthesis-1.pdf
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    大小：355.84KB
    时间：2021.04.26
    上传者：Argent
    随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。
    EDA9Logicsynthesis1pdf
  • 【AP2307GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    大小：355.53KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：AP2307GN-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-静态开启电阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源
    AP2307GNVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • PW2051 1.5A DC-DC 降压转换器芯片
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    大小：355.47KB
    时间：2022.11.03
    上传者：夸克微
    代理商技术支持有原厂测试板  郑S13076919501
    PW2051 15A dcdc 降压 转换器芯片
  • 展讯方案PCB layout指导
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    大小：355.37KB
    时间：2019.08.01
    上传者：328230725_895182095
    Spreadtrumsolution的特点最大的特点：集成度高，集成了ABB，DBB和PMU给Layout带来：“217Hz”noise问题；电源，数字和模拟部分的相互干扰问题；更复杂的EMI/EMC
    pcb
  • 【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
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    大小：354.98KB
    时间：2024.01.03
    上传者：VBsemi
    FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs
    FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
  • 【免费】低噪放线性化技术
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    大小：354.85KB
    时间：2020.02.20
    上传者：2iot
    AlinearizationtechniqueforRFlownoiseamplifierALINEARIZATIONTECHNIQUEFORRFLOWNOISEAMPLIFIERChunyuXin,
    linearization technique noise
  • 【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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    大小：354.44KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±
    AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
  • 【AO3460-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    大小：354.07KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：AO3460-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：0.3A-导通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10V-门源电压
    AO3460VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • NDT2955 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：353.9KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了NDT2955MOSFET，其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管，具有出色的规格，包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通
    NDT2955 VBsemi mosfet datasheet
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