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【AO6601-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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大小:323.7KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:AO6601-VB丝印:VB5222品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±20V-最大连续电流:7A/-4.5A-静态开启电阻(RDS(ON)):20mΩ/70mΩ@4.5
AO6601VB
NP
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
【AO6604-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:323.63KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
AO6604详细参数说明:-极性:N+P沟道-额定电压:±20V-额定电流:7A/-4.5A-导通电阻:20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值
AO6604
NP
VBsemi
sot236
mos
datasheet
免费 系统时序基础理论sys_fpga
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大小:322.83KB
时间:2020.02.17
上传者:16245458_qq.com
免费系统时序基础理论sys_fpga,系统时序基础理论sys_fpga……
系统
时序
基础
模电200问(有问有答)
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下载:189
大小:321.96KB
时间:2021.11.11
上传者:电路设计爱好者
以下是前面20问,全部内容下载附件查看1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点?答:频率特性好、体积小、功耗小,便于电路的集成化产品的袖珍化,此外在坚固抗震可靠等方面也特别突出;但
模拟技术
电子
电路
硬件
电源
简易旋转倒立摆及控制装置(C题 ).pdf
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下载:2
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时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
简易
旋转倒立摆
控制装置
pdf
【AO4406A-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:321.65KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:AO4406A-VB-丝印:VBA1311-品牌:VBsemi-参数:N沟道,30V,12A,RDS(ON)为12mΩ(在10V时),15mΩ(在4.5V时),20Vgs的范围为
AO4406AVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AM30N10-70D-T1-PF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:321.2KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:AM30N10-70D-T1-PF-VB丝印:VBE1104N品牌:VBsemi参数说明:-类型:N沟道MOSFET-工作电压:100V-额定电流:40A-开通电阻:30mΩ(10V)、31mΩ
AM30N1070DT1PFVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
免费发浙大功放讲义
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大小:321.09KB
时间:2020.02.19
上传者:quw431979_163.com
浙大功放讲义第七讲功率放大器设计1提高功率放大器的线性,是当前微波电路设计研究的热点。功率放大器主要技术指标―工作频带工作频带是指放大器应满足全部性能指标的连续频率范围。2硅双极型晶体管功率放大器和硅
浙大
功放
讲义
【ZVN2120GTA-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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大小:320.92KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:ZVN2120GTA丝印:VBJ1201K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):200V-额定电流(ID):1A-开通电阻(RDS(ON)):1100mΩ@
ZVN2120GTAVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
【APM2701AC-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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大小:320.16KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:APM2701AC-VB 丝印:VB5222 品牌:VBsemi 参数说明:-沟道类型:N+P沟道-最大电压:±20V-最大电流:7A正向,4.5A反向-开通电阻:
APM2701ACVB
NP
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
【FDG6332C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
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大小:319.99KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
FDG6332C(VBK5213N)参数说明:N+P沟道,±20V,2.5/-1.5A,导通电阻130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围
FDG6332C
NP
VBsemi
SC706
mos
datasheet
ANT8110功率3W-ClassD全差分输入单声道音频功放
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下载:1
大小:319.59KB
时间:2021.03.26
上传者:sandtech168
ANT8110是一款超低EMI,高信噪比,3W单通道ClassD音频功放。在5V电源条件下,驱动4Ω负载可以输出3W功率
ANT8110
音频功放
Understanding-UFFS.pdf
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时间:2021.09.24
上传者:Argent
FPGA是一个技术密集型的行业,没有坚实的技术功底,很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间,嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理,包括快速读懂数据手册,搜集了部分数据手
UnderstandingUFFSpdf
【15N10 TO251-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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大小:316.87KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:15N10TO251丝印:VBFB1101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:15A-导通电阻:115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-
15N10
TO251VB
沟道
TO251
封装
mos
datasheet
Verilog 培训资料。免费!
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时间:2020.01.15
上传者:2iot
VerilogHDL的基础教程的基础知识第一节的基础语言知识综述硬件描述语言是硬件设计人员和电子设计自动化工具之间的界面其主要目的是用来编写设计文件建立电子系统行为级的仿真模型即利用计算机的巨大能力对
verilog
的基
础教
Verilog_中文.pdf
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下载:1
大小:316.61KB
时间:2021.04.26
上传者:Argent
随着FPGA技术的不断发展,许多消费类产品都嵌入了FPGA程序,ZYNQ架构属于主流,搜集的部分有关FPGA学习资料,希望对您有所帮助,欢迎下载。
verilog
中文
pdf
Verilog1.pdf
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时间:2021.04.26
上传者:Argent
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