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【NDS331N-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NDS331N-NL(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，8Vgs(±V)，阈值电压0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：NDS331N

NDS331NNL VBsemi sot23 mos datasheet
【50N04-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：50N04丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±

50N04 VBsemi TO252 mos datasheet
【NTD20P06LT4G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：NTD20P06LT4G丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-RDS(ON)：61mΩ@10V，72mΩ@4.5V-门源电压范

NTD20P06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRF840APBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：FDV303N-NL-VB-丝印：VB1240-品牌：VBsemi-参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-静态电阻：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压：

IRF840APBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【NTD2955T4G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：NTD2955T4G丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-RDS(ON)：61mΩ@10V，72mΩ@4.5V-门源电压范围：

NTD2955T4G VBsemi TO252 mos datasheet
【免费共享】最新广义Smith Chart 研究论文

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时间：2020.02.18

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2009MOTL_TheoryofTheSphericalGeneralizedSmithChartTHEORYOFTHESPHERICALGENERALIZEDSMITHCHARTYongleWu,

2009motl theory spherical
【ZXMN6A25GTA-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ZXMN6A25GTA-VB丝印：VBJ1638品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：7A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V,27

ZXMN6A25GTAVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【AP9575GM-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AP9575GM(VBA2658)参数说明：P沟道，-60V，-6A，导通电阻50mΩ@10V，61mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：SOP8。应用简介：AP957

AP9575GM VBsemi SOP8 mos datasheet
【PSMN025-100D-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：PSMN025-100D 丝印：VBE1102N 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：45A-导通电

PSMN025100DVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDD5614P-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：FDD5614P丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压

FDD5614P VBsemi TO252 mos datasheet
TOSHIBA东芝 TB62211FNG双极步进电机驱动IC datasheet产品规格书

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时间：2024.09.12

上传者：东芝铠侠代理

TB62211FNG的设计集成了多种保护和控制功能，具有较强的电机控制能力。其主要特性包括：双极步进电机驱动：该IC适用于双极两相步进电机，支持两相、1-2相及W1-2相激励模式。PWM恒流驱动：采用
【ZXMC4559DN8TA-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：ZXMC4559DN8TA-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-工作电压：±60V-电流：6.5/-5A-开态电阻：RDS(ON)为28/51

ZXMC4559DN8TAVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
Verilog HDL硬件描述语言02.PDF

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时间：2021.04.26

上传者：Argent

随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

verilog hdl 硬件描述语言 02pdf
基于DSP的电动汽车驱动控制系统的实现

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时间：2021.04.26

上传者：box520

基于DSP的电动汽车驱动控制系统的实现

基于 DSP 电动汽车驱动控制系统实现
Verilog HDL002.pdf

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时间：2021.04.26

上传者：Argent

随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

verilog HDL002pdf
【SUD50P06-15L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:SUD50P06-15L-GE3丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-60V -额定电流(ID):-50A -开通

SUD50P0615LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【UT3N06G-AE3-R-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

UT3N06G-AE3-R(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：UT3

UT3N06GAE3R VBsemi sot23 mos datasheet

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