消费电子-原理图资料下载_第61页-面包板社区

【AOD442-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

AOD442详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.8Vth(V)-封装类型：TO

AOD442 VBsemi TO252 mos datasheet
【IRF5805TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF5805TRPBF-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：4

IRF5805TRPBFVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【PMN50XP-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：PMN50XP-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-4.8A-开启电阻：RDS(ON)=49mΩ@10V,54mΩ@4.5V

PMN50XPVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【RSS075P03TB-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS075P03TB-VB丝印:VBA2317品牌：VBsemi参数说明:-管道类型:P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-管道电阻(RDS(ON))：23mΩ@10V,29mΩ@4.

RSS075P03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
IRLR2705TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了其最新的N沟道MOS管型号，产品编号为IRLR2705TRPBF。该产品具有优异的性能参数，适用于多种应用场景。丝印型号为VBE1638，其特点包括工作电压高达60V，最大承载电流可

IRLR2705TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【FDC602P-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDC602P-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ@1

FDC602PVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
2SJ168 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

2SJ168是一款P沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为-60V，额定电流为-0.5A，RDS(ON)参数为3000mΩ（在10V下）和3680mΩ（在4.5V下），以及

2SJ168 VBsemi mosfet datasheet
2SK1470 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

2SK1470（VBI1695）是一款N沟道MOS管，封装为SOT89。其产品参数为60V的工作电压，5A的电流承载能力，RDS(ON)为76mΩ@10V、88mΩ@4.5V时，20Vgs范围内。其阈

2SK1470 VBsemi mosfet datasheet
多功能出租车计价器设计

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

摘要：本系统分三个模块构成：一主接收机，两个发射机。主要以89S52为控制及数据编码，以FSK为调制方式，利用无线传输文字和语音数据，采用LCD显示、单片机数据存储器存储，具有多功能传输与存储功能。
【STB30NF20-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STB30NF20-VB丝印：VBL1208N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：200V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V-门

STB30NF20VB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【FDC5661N-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

FDC5661N详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：7A-导通电阻：30mΩ@10V,35mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1~3Vth(V)-封装类型：S

FDC5661N VBsemi sot236 mos datasheet
【STN3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：STN3PF06-VB丝印：VBJ2658品牌：VBsemi参数：-P沟道--60V--6.5A-RDS(ON)：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-20Vgs(±V)--1~-3Vth(V)

STN3PF06VB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【SI6913DQ-T1-GE3-VB】2个P沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印：VBC6P3033品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.2A-导通电阻：33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-

SI6913DQT1GE3VB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
基于单片机的温度控制系统资料

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

本文提出的温度采集控制系统以单片机（AD590）为核心，由控制部分、显示部分和温度测量部分组成。该系统大部分功能通过硬件来实现，电路简单明了，系统稳定性很高。这套温度控制系统可以方便地实现温度测量、温
简易智能电动车资料

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时间：2019.06.05

上传者：feiniao2008

：简易智能电动车由一个电动玩具车改造而成。系统的控制部分以单片机为核心，通过对前向通道各种传感器信号的采集、处理，较好地实现了后向通道驱动及转向电机的运动控制和相关信息的处理、显示和声光报警。
PCBA 弓曲扭曲的判定案例

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时间：2019.06.14

上传者：feiniao2008

AWG30及更细的导线接线柱连接案例
AP2306AGN VBssemi Datasheet

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时间：2023.10.09

上传者：VBsemi

VBsemi推出了MOSFET型号AP2306AGN，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS

AP2306AGN VBssemi datasheet

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