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【SFT1342-TL-E-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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SFT1342-TL-E详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.5Vth(V

SFT1342TLEVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AM2394NE-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AM2394NE(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：AM2394

AM2394NE VBsemi sot23 mos datasheet
【ME35N06G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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型号：ME35N06G丝印：VBE1638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20

ME35N06GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
TOSHIBA东芝TLP176AM产品规格书datasheet

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时间：2024.08.23

上传者：东芝铠侠代理

隔离电压：TLP176AM的隔离电压高达3750Vrms，确保电路免受电压尖峰和噪声的影响，非常适合高压应用场景。输出电流：TLP176AM能够处理高达30µA的输出电流，尽管数值不大，但足以驱动低功

toshiba 东芝 TLP176AM 产品规格书 datasheet
【IRLML0100TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRLML0100TRPBF(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：

IRLML0100TRPBF VBsemi sot23 mos datasheet
【AM4902N-T1-PF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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AM4902N-T1-PF详细参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：60V-额定电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.5Vth(V)

AM4902NT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【2SK1273-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：2SK1273丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：5A-RDS(ON)：76mΩ@10V，88mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源

2SK1273VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【AP9971GH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：AP9971GH丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-RDS(ON)：24mΩ@10V，28mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-

AP9971GHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【MTD3302-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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MTD3302详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-额定电流：60A-导通电阻：10mΩ@10V,11mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.6Vth(V)-封装类型：T

MTD3302VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【UD6004-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：UD6004 丝印：VBE1638 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：

UD6004VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BSH114-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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BSH114(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：BSH114是一

BSH114 VBsemi sot23 mos datasheet
【野火】RT1052邮票孔核心板EBF1052 【Pro 底板】原理图.pdf

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时间：2021.09.24

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FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手
【IRF8788TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRF8788TRPBF丝印：VBA1302品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：20A-导通电阻：4mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V-门源电

IRF8788TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【TM2314FN-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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TM2314FN(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：TM2314FN

TM2314FN VBsemi sot23 mos datasheet
【AO6801-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO6801(VB4290)参数说明：2个P沟道，-20V，-4A，导通电阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-1.2~-2.2V，封装：SOT23-6。应用简介：

AO6801 VBsemi sot236 mos datasheet
【SI2302CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2302CDS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT2

SI2302CDST1GE3 VBssemi sot23 mos datasheet
【AOD425A-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：AOD425A丝印：VBE2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻：18mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：2

AOD425AVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet