MOS管做的电平转化电路有三个“坑”
24c01硬件电子 2024-06-07

在电路中,我们经常会遇到MOS管做的电平转换电路,但是此MOS管做的电平转化电路有三个“坑”,今天就将这三点注意事项分享与诸位道友,此电平转化电路为双向转化


第一点:源极侧和漏极侧的电平大小


MOS管的源极侧放置的信号电平应该比漏极的信号电平低,例如下图,源极侧放置电平为1.8V/0V,右侧放置电平为3.3V/0V。如果源极放的信号电平是高于漏极的信号电平,那么该电路将工作异常,不能正常电平转化。


第二点:高电平的驱动能力


这个MOS管电平转化电路的驱动能力完全取决于上拉电阻的大小,上拉电阻越大,驱动能力越弱。如果发现被转化的信号的上升沿很缓,或者通讯异常,那么可以考虑是否是外部线缆长度过长带来的容性增加,可以减小线缆长度或者减小上拉电阻的大小以改善信号波形。
例如ti的电平转化芯片TXS0102(润石的RS0102也是一样)就是基于这个MOS管的电平转化电路去设计的,下图是TXS0102的内部框图,那么同理,这个TXS0102的驱动能力也是有限的,如果想增加驱动能力,可以外部再并联的电阻,增加驱动能力:


第三点:漏电


这个MOS管的电平转化电路会有一定的漏电,所以在不需要的时候可以再外部增加二极管去防止漏电。例如下图如果没有D5001二极管的话,3.3V电源从源极上拉电阻R5000再通过MOS管Q5000的体二极管,再通过漏极上拉电阻R5001漏电到5V电源(节选自瑞芯微RK3588硬件设计指南):


声明: 本文转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们及时删除。(联系我们,邮箱:evan.li@aspencore.com )
1
评论
有两个问题,第一张图里那个0欧姆电阻的作用是什么?漏电的问题,源极的电源比漏极的电源低,为什么会导致漏电?
  • 相关技术文库
  • 硬件
  • 原理图
  • 信号完整性
  • EMI
下载排行榜
更多
评测报告
更多
EE直播间
更多
广告