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贴片加工小安 2025-1-17 14:35: 带你了解PCB线路板敷铜的几种方式; 敷铜是PCB电路板设计的一个重要环节。所谓覆铜，就是将PCB上闲置的空间作为基准面，然后用固体铜填充。敷铜的意义在于减小地线阻抗，提高抗干扰能力;降低压降， ...; 38 0 0 0

启扬ARM嵌入式 2025-1-17 14:29: 基于RK3588的AI摄像头应用解决方案; 随着人工智能（AI）技术的快速发展，越来越多的视频监控系统开始直接在摄像头上部署AI分析，视频监控从早期的图像记录发展到如今具备AI运算能力和算法，可进 ...; 125 0 0 0

Industio_触觉智能 2025-1-17 14:14: 原创 Ubuntu20.04取消root账号自动登录方法触觉智能RK3568开发板演示; Ubuntu20.04默认情况下为root账号自动登录，本文介绍如何取消root账号自动登录，改为通过输入账号密码登录，使用触觉智能EVB3568鸿蒙开发板演示，搭载瑞芯 ...; 137 0 0 0

瑞芯微 RK3568 Ubuntu Linux 开发板

Industio_触觉智能 2025-1-17 14:09: 原创瑞芯微开发板/主板Android配置APK默认开启性能模式方法; 本文介绍瑞芯微开发板/主板Android配置APK默认开启性能模式方法，开启性能模式后，APK的CPU使用优先级会有所提高。触觉智能RK3562开发板演示，搭载4核A53处 ...; 180 0 0 0

瑞芯微 RK3562 Android 性能调节开发板

锦缎研究院 2025-1-17 11:43: 中国大模型，有了“压舱石”; 新年伊始，讯飞旋即召开最新的模型发布会，距离上次重大更新仅过去不到一个季度，这次发布会上，讯飞带来三个大招： 1）推出深度推理模型讯飞 ...; 180 0 0 0

AI 大模型

康谋 2025-1-17 11:38: 深度自然匿名化VS隐私保护与视觉完整性并存的未来！; 在科技迅速发展的时代，保护个人隐私的需求日益增长，有效匿名化技术的重要性不容忽视。无论是针对敏感的图像、视频，还是数据，在隐私保护与保持视 ...; 166 0 0 0

汽车数据处理智能汽车无人驾驶人工智能

MrCU204 2025-1-17 11:30: 原创论PN结的四种逆向电导模式; 光伏及击穿，都可视之为复合的逆过程，但是，复合、光伏与击穿，不单是进程的方向相反，偏置状态也不一样，复合的工况，是正偏，光伏是零偏，击 ...; 204 0 0 0

PN结

华尔街科技眼 2025-1-17 10:44: 原创手机购新补贴实施方案发布京东将率先上线手机“国补”会场; 日前，商务部等部门办公厅印发《手机、平板、智能手表（手环）购新补贴实施方案》明确，个人消费者购买手机、平板、智能手表（手环）3类数码产品（单件销售价格 ...; 230 0 0 0

四川英特丽科技有限公司 2025-1-17 10:34: 在PCBA设计生产中有哪些散热方法？; 在电子器件的高速发展过程中，电子元器件的总功率密度也不断的增大，但是其尺寸却越来越较小，热流密度就会持续增加，在这种高温的环境中势必会影响电子元器 ...; 158 0 0 0

四川英特丽 PCBA加工 SMT贴片加工成都SMT厂家

cym_anhui_298345135 2025-1-17 10:28: 2025年计划; 2025年开始了，我想在2025做一些事情。 1. 写一些机器人相关的文章，分享一些这方面的经验 2. 写一些低空飞行器的相关文章，分享一些这方面的前沿科技 ...; 263 0 1 1

机器人

ONEZ 2025-1-17 10:11: 不同的氮化镓衬底的吸附方案，对测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响; 在当今高速发展的半导体产业浪潮中，氮化镓（GaN）衬底宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越的电学与光学性能，在众多高端芯片制造领域，尤其是光电器件、功率器件等 ...; 119 0 0 0

晶圆厚度晶圆碳化硅

爱蛙科技 2025-1-17 09:52: 半导体 | 光学缺陷检测; 半导体中缺陷检测是半导体制造过程中不可或缺的环节，对于提高产品良率、降低成本、提高生产效率、保障安全性和促进技术进步都具有重要意义。如集成电路 ...; 125 0 0 0

宽禁带联盟 2025-1-17 09:31: 宽禁带科技论|分子束外延生长的Sn掺杂Ga₂O₃同质外延薄膜的电输运性质和电子结构特性; 在国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究” （项目编号：2022YFB3605500）支持下，厦门大学张洪良系统地研究了杭州富加镓业科技有限公 ...; 192 0 0 0

宽禁带联盟 2025-1-17 09:25: 宽禁带科技论|山东大学开发出阈值电压为7.1V的高击穿电压的P-GaN HEMTs; 山东大学报道了一种通过在栅极金属沉积之前将P-GaN的热氧化处理与原子层沉积（OTALD）相结合的增强型P-GaN/AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MI ...; 122 0 0 0

wuyu2009 2025-1-16 22:23: 《我在硅谷管芯片 - 芯片设计公司运营之道》+新书阅读; 《我在硅谷管芯片 - 芯片设计公司运营之道》+新书阅读首先看作者背景，在多个芯片公司任职，还完成了另一本讲芯片产品线经理的书；在这本书的序当中，也 ...; 180 0 0 0

芯片设计

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