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【AO4407-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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AO4407详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.37V

AO4407 VBsemi SOP8 mos datasheet
【NTGS3455T1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：NTGS3455T1G丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-4.8A-导通电阻：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源

NTGS3455T1G VBsemi sot236 mos datasheet
功率电感器使用方法

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时间：2024.01.03

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元件大厂的资料分享，简单易懂地剖析功率电感器的使用方法

功率电感器使用方法
【DMG6968U-7-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：DMG6968U-7丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：N沟道,30V,6.5A,RDS(ON),30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.2~2.2Vth(V)；SO

DMG6968U7 VBsemi sot23 mos datasheet
【FQU13N10L-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：FQU13N10L丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：100V -额定电流：15A -RDS(ON)：115mΩ@10V

FQU13N10L VBsemi TO251 mos datasheet
TB67S109AFNAG双极步进电机驱动芯片原理图

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时间：2024.01.03

上传者：人生折腾

TB67S109AFNAG双极步进电机驱动芯片

TB67S109AFNAG 双极步进电机驱动芯片原理图
TB67S109AFNAG双极步进电机驱动芯片

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时间：2024.01.03

上传者：人生折腾

TB67S109AFNAG 双极步进电机驱动芯片
摄像机用镜头芯片（内置光圈控制）系列：MS41928,MS41908,MS41929,MS41968

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时间：2024.01.03

上传者：国产芯片兼容方案

MS41928M是一款用于网络摄像机和监控摄像机的镜头驱动芯片。芯片内置光圈控制功能；通过电压驱动方式以及扭矩纹波修正技术，实现了超低噪声微步驱动。MS41928M集成了输入输出IO转换接口，可以应用

摄像机镜头芯片内置光圈控制安防杭州瑞盟
OpenGL-自主高性能三维GIS平台架构与实现（第2季）

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时间：2024.01.03

上传者：开心就很好了

今天给大家讲讲关于OpenGL的知识，以及结合OpenGL自主高性能三维GIS平台架构与实现的全流程。我将从2D->2.5D->3D立体球,全程零代码到完全实现，带着大家一步步学习。首先，

openGL 自主高性能三维 gis 平台架构与实现
【STD35NF06T4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

STD35NF06T4详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.8Vth(V)-封装

STD35NF06T4 VBsemi TO252 mos datasheet
【HM8810A-VB】2个N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：HM8810A丝印：VB9220品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：20V-最大电流：6A-导通电阻：24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V-门源电压：20

HM8810A VBsemi sot236 mos datasheet
【KD2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：KD2301丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；-0.81Vth(V)；SOT23该产

KD2301 VBsemi sot23 mos datasheet
【HM3401PR-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：HM3401PR丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.8A-RDS(ON)：50mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压范围：±2

HM3401PR VBsemi SOT893 mos datasheet
【FDC6306P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDC6306P详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-1.2~-2.2V

FDC6306P VBsemi sot236 mos datasheet
【APM3048ADU4-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：APM3048ADU4丝印：VBE5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±60V-最大电流：35A/-18A-导通电阻：38mΩ/58mΩ@10V,4

APM3048ADU4 NP VBsemi TO2525 mos datasheet
【IRF7470TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：IRF7470TRPBF丝印：VBA1410品牌：VBsemi参数：N沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；SOP8

IRF7470TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【AP2303GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：AP2303GN丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-RDS(ON)：47mΩ@10V，56mΩ@4.5V-门源电压范围：±20

AP2303GN VBsemi sot23 mos datasheet