原理图资料下载_第148页-面包板社区

【NDS331N-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NDS331N-NL(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，8Vgs(±V)，阈值电压0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：NDS331N

NDS331NNL VBsemi sot23 mos datasheet
【50N04-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：50N04丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±

50N04 VBsemi TO252 mos datasheet
一种智能频率计的设计与制作(AVR)proteus仿真+程序资料

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时间：2019.06.05

上传者：feiniao2008

一种智能频率计的设计与制作(AVR)proteus仿真+程序资料
【NTD20P06LT4G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：NTD20P06LT4G丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-RDS(ON)：61mΩ@10V，72mΩ@4.5V-门源电压范

NTD20P06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRF840APBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：FDV303N-NL-VB-丝印：VB1240-品牌：VBsemi-参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-静态电阻：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压：

IRF840APBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【NTD2955T4G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：NTD2955T4G丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-RDS(ON)：61mΩ@10V，72mΩ@4.5V-门源电压范围：

NTD2955T4G VBsemi TO252 mos datasheet
9122AC下行选频模块调试指导书

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

调试前准备配戴防静电手环；检查频谱仪、信号源、电源、烙铁是否良好接地；在频谱仪输出口加隔离器，输入口加10dB衰减器，在信号源输出口加隔离器；打开频谱仪电源，检查输入输出是否正常，并使频谱仪至少预热三
C8051F系列应用笔记AN017 使用 C8051FXXX 片内 FLASH 编程接口 DLL

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

C8051F系列应用笔记AN017使用C8051FXXX片内FLASH编程接口DLL
F2 网管光纤收发器及 FC-216 机架安装调试用户手册

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时间：2019.06.25

上传者：东亚安防

目录1.产品简介............................................................................................
主板维修经验

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

维修RESETCLK的故障當CLK信號有問題,可能會使得RESET信號異常,相對的;如果RESET信號有問題,可能會使得輸出端的CLK信號異常.RESET信號的輸入控制來源計有:1.POWERGOOD
【ZXMN6A25GTA-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ZXMN6A25GTA-VB丝印：VBJ1638品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：7A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V,27

ZXMN6A25GTAVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【AP9575GM-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AP9575GM(VBA2658)参数说明：P沟道，-60V，-6A，导通电阻50mΩ@10V，61mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：SOP8。应用简介：AP957

AP9575GM VBsemi SOP8 mos datasheet
GSM_空闲模式

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

优化接入通过小区选择和小区重选算法，选择最强信号的小区驻留，使良好通信的机率最大良好的参数设置，使移动台在空闲模式下和在连接模式下会选择相同的小区降低寻呼负荷选择不同的寻呼策略，避免不必要的寻呼降低移
GSM_空闲模式

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

优化接入通过小区选择和小区重选算法，选择最强信号的小区驻留，使良好通信的机率最大良好的参数设置，使移动台在空闲模式下和在连接模式下会选择相同的小区降低寻呼负荷选择不同的寻呼策略，避免不必要的寻呼降低移
【PSMN025-100D-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：PSMN025-100D 丝印：VBE1102N 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：45A-导通电

PSMN025100DVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【1】培训用开关电源原理图2.pdf

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时间：2023.06.12

上传者：张红川

【1】培训用开关电源原理图2.pdf

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【FDD5614P-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：FDD5614P丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压

FDD5614P VBsemi TO252 mos datasheet

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