原理图资料下载_第149页-面包板社区

【1】培训用开关电源原理图2.pdf

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时间：2023.06.12

上传者：张红川

【1】培训用开关电源原理图2.pdf

培训开关电源原理图 2pdf
【FDD5614P-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：FDD5614P丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压

FDD5614P VBsemi TO252 mos datasheet
图说运放：不谈原理，只谈应用（收藏）.docx

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时间：2024.05.16

上传者：张红川

图说运放：不谈原理，只谈应用（收藏）.docx

运放不谈原理应用收藏 docx
LED屏验收标准

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时间：2019.06.18

上传者：东亚安防

竣工验收完成后，承包方应内向业主方提供整套设备图纸及技术文件并得到接受。主要包括：LED显示屏系统原理图安装结构图、系统电气图LED技术参数指标LED显示屏配套设备清单设备和备品管理资料文件，包括设备
【ZXMC4559DN8TA-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：ZXMC4559DN8TA-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-工作电压：±60V-电流：6.5/-5A-开态电阻：RDS(ON)为28/51

ZXMC4559DN8TAVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
基于单片机的水温控制系统

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

利用AT89C51单片机为核心，配合温度传感器，信号处理电路，显示电路，输出控制电路，故障报警电路等组成，软件选用汇编语言编程。单片机可将温度传感器检测到的水温模拟量转换成数字量，显示于LED显示器上
CS5269带PD100W充电TYPEC转HDMI高清4K60HZ扩展投屏方案设计电路图

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时间：2022.11.03

上传者：QQ1540182856

CS5269集成了DP1.4HDMI2.0的输出端和VGA输出接口，单颗芯片设计带PD100W充电TYPEC转HDMI高清4K60HZ扩展投屏方案

CS5269 TYPEC转HDMI TYPEC扩展方案 CS5269电路图
【SUD50P06-15L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:SUD50P06-15L-GE3丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-60V -额定电流(ID):-50A -开通

SUD50P0615LGE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【UT3N06G-AE3-R-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

UT3N06G-AE3-R(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：UT3

UT3N06GAE3R VBsemi sot23 mos datasheet
单片机扩展串行通信

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

单片机串行通信发射机是用来发射信息，能完成信息准确无误的显示发射，使信息能够在两地之间传递，给人们在通信上带来方便。发射机设计的思路是:由一片单片机来控制信息的发射、存储和显示，用汇编语言编写发射程序
具有抗干扰功能的电容式触摸屏结构

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

具有抗干扰功能的电容式触摸屏结构
XPD320规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD320是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP/SCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1

XPD320 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
【HM8810A-VB】2个N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：HM8810A丝印：VB9220品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：20V-最大电流：6A-导通电阻：24mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V-门源电压：20

HM8810A VBsemi sot236 mos datasheet
【2SJ245S-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：2SJ245S丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-38A-开通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-额定

2SJ245SVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI2319CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2319CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2319CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【2SJ668-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：2SJ668丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压：2

2SJ668 VBsemi TO252 mos datasheet
SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos

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