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【ZXMN6A25GTA-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:ZXMN6A25GTA-VB丝印:VBJ1638品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-额定电压(Vds):60V-最大持续电流(Id):7A-导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V,27
ZXMN6A25GTAVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
【AP9575GM-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AP9575GM(VBA2658)参数说明:P沟道,-60V,-6A,导通电阻50mΩ@10V,61mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.5V,封装:SOP8。应用简介:AP957
AP9575GM
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
GSM_空闲模式
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
优化接入通过小区选择和小区重选算法,选择最强信号的小区驻留,使良好通信的机率最大良好的参数设置,使移动台在空闲模式下和在连接模式下会选择相同的小区降低寻呼负荷选择不同的寻呼策略,避免不必要的寻呼降低移
GSM_空闲模式
所需E币:2
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时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
优化接入通过小区选择和小区重选算法,选择最强信号的小区驻留,使良好通信的机率最大良好的参数设置,使移动台在空闲模式下和在连接模式下会选择相同的小区降低寻呼负荷选择不同的寻呼策略,避免不必要的寻呼降低移
【PSMN025-100D-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:300KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:PSMN025-100D 丝印:VBE1102N 品牌:VBsemi 参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-额定电流:45A-导通电
PSMN025100DVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【1】培训用开关电源原理图2.pdf
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大小:299.77KB
时间:2023.06.12
上传者:张红川
【1】培训用开关电源原理图2.pdf
培训
开关电源原理图
2pdf
【FDD5614P-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
型号:FDD5614P丝印:VBE2610N品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-最大耐压:-60V-最大电流:-38A-导通电阻:61mΩ@10V,72mΩ@4.5V-门源电压
FDD5614P
VBsemi
TO252
mos
datasheet
图说运放:不谈原理,只谈应用(收藏).docx
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时间:2024.05.16
上传者:张红川
图说运放:不谈原理,只谈应用(收藏).docx
运放
不谈
原理
应用
收藏
docx
LED屏验收标准
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时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
竣工验收完成后,承包方应内向业主方提供整套设备图纸及技术文件并得到接受。主要包括:LED显示屏系统原理图安装结构图、系统电气图LED技术参数指标LED显示屏配套设备清单设备和备品管理资料文件,包括设备
【ZXMC4559DN8TA-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:299.29KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:ZXMC4559DN8TA-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N+P沟道MOSFET-工作电压:±60V-电流:6.5/-5A-开态电阻:RDS(ON)为28/51
ZXMC4559DN8TAVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
基于单片机的水温控制系统
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大小:298.83KB
时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
利用AT89C51单片机为核心,配合温度传感器,信号处理电路,显示电路,输出控制电路,故障报警电路等组成,软件选用汇编语言编程。单片机可将温度传感器检测到的水温模拟量转换成数字量,显示于LED显示器上
CS5269带PD100W充电TYPEC转HDMI高清4K60HZ扩展投屏方案设计电路图
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大小:298.52KB
时间:2022.11.03
上传者:QQ1540182856
CS5269集成了DP1.4HDMI2.0的输出端和VGA输出接口,单颗芯片设计带PD100W充电TYPEC转HDMI高清4K60HZ扩展投屏方案
CS5269
TYPEC转HDMI
TYPEC扩展方案
CS5269电路图
【SUD50P06-15L-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:SUD50P06-15L-GE3丝印:VBE2625品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-60V -额定电流(ID):-50A -开通
SUD50P0615LGE3VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【UT3N06G-AE3-R-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
UT3N06G-AE3-R(VB1695)参数说明:N沟道,60V,4A,导通电阻85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压1~3V,封装:SOT23。应用简介:UT3
UT3N06GAE3R
VBsemi
sot23
mos
datasheet
单片机扩展串行通信
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时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
单片机串行通信发射机是用来发射信息,能完成信息准确无误的显示发射,使信息能够在两地之间传递,给人们在通信上带来方便。发射机设计的思路是:由一片单片机来控制信息的发射、存储和显示,用汇编语言编写发射程序
具有抗干扰功能的电容式触摸屏结构
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大小:297.54KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
具有抗干扰功能的电容式触摸屏结构
XPD320规格书 USB Type-C PD 多协议控制器
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大小:297.44KB
时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
XPD320是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD3.0)以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP/SCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1
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