原理图资料下载_第147页-面包板社区

【IRF8788TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：IRF8788TRPBF丝印：VBA1302品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：20A-导通电阻：4mΩ@10V,4.5mΩ@4.5V-门源电

IRF8788TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
C8051F系列应用笔记AN026 Integrating Tasking 8051 Tools into the Cygnal IDE

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时间：2019.06.28

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C8051F系列应用笔记AN026IntegratingTasking8051ToolsintotheCygnalIDE
C8051F系列应用笔记AN025 Integrating Raisonance 8051 Tools into the Cygnal IDE

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时间：2019.06.28

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C8051F系列应用笔记AN025IntegratingRaisonance8051ToolsintotheCygnalIDE
【TM2314FN-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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TM2314FN(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：TM2314FN

TM2314FN VBsemi sot23 mos datasheet
【AO6801-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AO6801(VB4290)参数说明：2个P沟道，-20V，-4A，导通电阻75mΩ@4.5V，100mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-1.2~-2.2V，封装：SOT23-6。应用简介：

AO6801 VBsemi sot236 mos datasheet
【SI2302CDS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2302CDS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT2

SI2302CDST1GE3 VBssemi sot23 mos datasheet
LED 光源驱动设计及周边器件选择

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

LED光源驱动设计及周边器件选择
交通控制器设计资料

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时间：2019.06.05

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本设计以AT89S52单片机为核心，构成单片机控制电路，结合LM386芯片，显示15秒倒计时，并进行报警，同时完成对它们的自动调整和掉电保护，全部信息用数码管显示。软件控制程序实现所有的功能。整机电路
【AOD425A-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AOD425A丝印：VBE2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻：18mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：2

AOD425AVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI2300DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2300DS-T1-GE3参数：N沟道,20V,6A,RDS(ON)24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.45~1Vth(V),SOT23应用简介：SI2300DS-T1-

SI2300DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
电力配网简介

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时间：2019.06.18

上传者：东亚安防

1．什么是配电、配网自动化？配电自动化是指利用现代电子、计算机、通信及网络技术，对配电网进行监视、控制及管理的自动化系统。配电自动化主要针对中低压系统而言，包括配网自动化（DAS）、配电管理自动化（配
【Si2342DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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Si2342DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

Si2342DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2302DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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SI2302DS-T1-GE3(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23

SI2302DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
单片机-485-PC串口通信proteus仿真+程序

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时间：2019.06.03

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单片机-485-PC串口通信proteus仿真+程序
【RU205B-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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RU205B(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介：RU2

RU205B VBsemi sot23 mos datasheet
MSP430F5-10-MPY乘法器

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MSP430F5-10-MPY乘法器
【50P04-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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50P04(VBE2412)参数说明：P沟道，-40V，-65A，导通电阻10mΩ@10V，13mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.6V，封装：TO252。应用简介：50P04适用于高功

50P04 VBsemi TO252 mos datasheet