原理图资料下载_第143页-面包板社区

高校拥塞解决方案报告

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

统计系统指标发现贵阳高校区域晚21：00-24：00为话务高峰区，覆盖高校的主服小区都出现不同程度的拥塞，有些小区的TCH拥塞率（含切换）高达70%以上，该指标是由于目标小区无空闲信道，但BSC仍然不
主板维修教案

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

主板是电脑主机中最大的一块电路板，也有母板、主机板等名称。主板是电脑的中枢，它为CPU、内存及各种功能卡（如声卡、显卡、网卡等）提供安装插座；为各种存储设备（如打印机、扫描仪、数码相机）等外设提供接口
LED元件光学与电性能量测标准草案

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

LED元件光学与电性能量测标准草案
一种用于民用飞机舷窗玻璃的可调色防冰防雾电加热膜及其制备方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种用于民用飞机舷窗玻璃的可调色防冰防雾电加热膜及其制备方法
【40N06 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：40N06TO252-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：60V-额定电流（Id）：45A-静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@

40N06 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
分析一个经典的单片机供电电路.

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时间：2023.02.22

上传者：张红川

分析一个经典的单片机供电电路.

分析一个单片机供电电路
【STP3NK60ZFP-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STP3NK60ZFP-VB丝印：VBMB165R04品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：650V-最大持续电流（Id）：4A-导通电阻（RDS(ON)）：2560mΩ@

STP3NK60ZFPVB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
ULN2003.pdf

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时间：2021.04.25

上传者：Argent

电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻

ULN2003PDF
【FDC6420C-NL-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：FDC6420C-NL丝印：VB5222品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±20V-最大电流：7A/-4.5A-导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,2

FDC6420CNLVB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【AO4724-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4724-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：12A-开通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10Vgs、15mΩ@4.5Vgs

AO4724VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
W-无线话音质量测试方法指导书-20041101-A-1.0

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

常用的MOS分评价方法：1.1主观MOS分评价主观测试方法一般采用ITU-TP.800和P.830建议书中的方法。由不同的人分别对原始语料和经过系统处理后有衰退的语料进行主观感觉对比，并得出MOS分，
【FDC6327C-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：FDC6327C-VB丝印：VB5222品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-额定电压：±20V-最大连续电流：7A/-4.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：20mΩ/70mΩ@4

FDC6327CVB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【NCE6602-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE6602-VB丝印：VB5222品牌：VBsemi参数：-N+P沟道-额定电压：±20V-最大电流：7A（正向）/4.5A（反向）-开态电阻(RDS(ON))：20mΩ@4.5V（正向）/

NCE6602VB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【2SJ355-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SJ355-VB丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-5.8A-导通电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10V-门源电

2SJ355VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【AO6601-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AO6601-VB丝印：VB5222品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-额定电压：±20V-最大连续电流：7A/-4.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：20mΩ/70mΩ@4.5

AO6601VB NP 沟道 sot236 封装 mos datasheet
TL494制作的降压电路

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时间：2023.01.09

上传者：张红川

解读TL494制作的降压电路

TL494 制作降压电路
【AO6604-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

AO6604详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：7A/-4.5A-导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值

AO6604 NP VBsemi sot236 mos datasheet