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【IRLML2502RP-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRLML2502RP丝印：VB1240品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-开通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-额定

IRLML2502RPVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【HM3400PR-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：HM3400PR丝印：VBI1322品牌：VBsemi参数：N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.9Vth(V)；SOT89-3

HM3400PRVB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【MDD3754RH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：MDD3754RH丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压

MDD3754RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD4189-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

AOD4189详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-40V-额定电流:-65A-导通电阻:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.6Vth(V)-封装类

AOD4189VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【30N06L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：30N06L-VB-丝印：VBE1638-品牌：VBsemi-参数：N沟道、60V、45A、RDS(ON)、24mΩ@10V、28mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、1.8Vth

30N06LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDMS9600S-VB】2个N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:FDMS9600S丝印:VBQA3303G品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):30V -额定电流(ID):60A -开通电阻(RD

FDMS9600SVB 2个沟道 DFN85X6 封装 mos datasheet
UWB定位标签，人员定位UWB定位工卡，52832低功耗UWB工卡TDOA室内高精度算法

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时间：2020.07.21

上传者：帘卷笙声寂

VDU1501室内定位工卡标签，主控芯片采用nrf52832实现低功耗的待机，定位包的收发控制，定位方案采用DW1000实现基于UWB的TDOA室内高精度算法。可以实现佩戴人员的高精度室内定位。内置加
弱电施工规范汇总(参考内容)

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

预埋线槽与暗管敷设缆线应符合下列规定1）敷设管道的两端应有标志，表示出房号、序号和长度2）敷设暗管时宜采用钢管或阻燃硬质PVC管。布主放双护套线和主干缆线时，直线管道的管径利用率应为50~60%，弯管
一种机载计算机电源中断保护系统

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种机载计算机电源中断保护系统
CN201410069775-多屏互动系统及方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

CN201410069775-多屏互动系统及方法
GB 12706.3 交联聚乙烯绝缘电力电缆

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

GB12706.3交联聚乙烯绝缘电力电缆
TOSHIBA东芝光耦TLP2301产品规格书datasheet

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时间：2024.08.23

上传者：东芝铠侠代理

高速数据传输速率：TLP2301的一个突出特点是其支持高速数据传输的能力。对于设计中时间和速度至关重要的工程师来说，该光耦合器确保数据高效传输，没有显著延迟或数据丢失。增强的抗噪声能力：TLP2301

toshiba 东芝光耦 TLP2301 产品规格书 datasheet
综合布线系统方案设计及预算案例讲解

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时间：2019.06.24

上传者：feiniao2008

综合布线系统方案设计及预算案例讲解
【STD10NF10T4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：STD10NF10T4丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：18A-导通电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-

STD10NF10T4VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【IRF7343TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRF7343TRPBF(VBA5638)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±60V；最大电流：6.5A/-5A；导通电阻：28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4.5V；门源电压范围：

IRF7343TRPBF NP VBsemi SOP8 mos datasheet
SIXNET EL228工业以太网管理型交换机

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时间：2019.06.25

上传者：东亚安防

EL228是28端口（24+4G）企业级工业以太网管理型交换机，专为满足电力、交通、铁路及其他严酷工业环境设计。它将集合了企业级交换机强大的管理和安全性能，以及坚固的壳体、受保护的电路等工业级特性于一

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