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  • 开发板原理图.pdf
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    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    开发板 原理图 pdf
  • 【Si1553CDL-T1-GE3-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
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    大小：357.23KB
    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    Si1553CDL-T1-GE3详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A(N沟道),-1.5A(P沟道)-导通电阻：130mΩ@4.5V(N沟道),230mΩ@4.5V
    Si1553CDLT1GE3VB NP 沟道 SC706 封装 mos datasheet
  • 天线的基础知识
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    表征天线性能的主要参数有方向图，增益，输入阻抗，驻波比，极化方式等。1.1天线的输入阻抗天线的输入阻抗是天线馈电端输入电压与输入电流的比值。天线与馈线的连接，最佳情形是天线输入阻抗是纯电阻且等于馈线的
  • 【AP2307GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    大小：355.53KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：AP2307GN-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-静态开启电阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源
    AP2307GNVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • PW2051 1.5A DC-DC 降压转换器芯片
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    时间：2022.11.03
    上传者：夸克微
    代理商技术支持有原厂测试板  郑S13076919501
    PW2051 15A dcdc 降压 转换器芯片
  • 同步电机模型的MATLAB仿真资料
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    时间：2019.06.05
    上传者：feiniao2008
    同步电机模型的MATLAB仿真资料
  • 【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.01.03
    上传者：VBsemi
    FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs
    FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
  • W-天线选型指导书-20050420-B-2.0
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    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    目录1概述...............................................................................................
  • 舵机控制器 原理图
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    大小：354.72KB
    时间：2020.08.17
    上传者：zendy_731593397
    舵机控制器的原理图参考
    舵机 控制器 原理图
  • 消防智能电动车设计与制作资料
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    大小：354.58KB
    时间：2019.06.05
    上传者：feiniao2008
    本智能车是以铝合金为车架，AT89S52单片机为控制核心，加以直流电机、舵机、光电传感器、火焰传感器和电源电路以及其他电路构成。系统由89S52通过IO口控制小车的前进后退以及转向。舵机带动灭火风扇左
  • 【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±
    AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
  • 【AO3460-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：AO3460-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：0.3A-导通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10V-门源电压
    AO3460VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 从零开始教你配置H3C路由器
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    时间：2019.06.17
    上传者：东亚安防
    过几十年的发展，从最初的只有四个节点的ARPANET发展到现今无处不在的Internet，计算机网络已经深入到了我们生活当中。随着计算机网络规模的爆炸性增长，作为连接设备的路由器也变得更加重要。公司在
  • NDT2955 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了NDT2955MOSFET，其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管，具有出色的规格，包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通
    NDT2955 VBsemi mosfet datasheet
  • 【AO3421E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    大小：353.23KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    详细参数说明：-型号：AO3421E-VB-丝印：VB2355-品牌：VBsemi-类型：P沟道场效应管-最大漏极电压（Vds）：-30V-最大漏极电流（Ids）：-5.6A-电阻开关特性：RDS(O
    AO3421EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • CP2101USB转UART的单芯片桥接器数据手册
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    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    CP2101USB转UART的单芯片桥接器数据手册
  • GPRS-EDGE 无线网络规划
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    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    GPRS/EDGE服务扩展了当前世界上最流行的第二代移动系统—基于语音的GSM，使其能够收发基于分组的数据，最终向着3G的方向演进。GPRS/EDGE的网络规划与传统的GSM网络规划有着很大的不同。数
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