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  • CDMA网络技术体制讲义
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    总则800MHzCDMA数字蜂窝移动通信网是公用蜂窝移动通信网的一种，它提供全国范围的公众移动通信业务，同时也可为特殊专网用户提供移动通信业务。1．本体制主要依据邮电部电信发展政策制定，遵循的原则是重
  • HSPA技术关键无线参数专题
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    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    配置方法建议-相关功能CodeResourceManagement作用域RNC中文缺省值动态配置方法0:静态配置方法1:动态配置方法中文取值范围界面中文名称HS-PDSCH码资源配置方法选无线参数信息
  • 【15N10 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：352.68KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：15N10TO252-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-静态电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-门源
    15N10 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • TOSHIBA东芝光耦TLP152产品规格书datasheet
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    时间：2024.07.16
    上传者：东芝铠侠代理
    高噪声免疫力：TLP152具有±20kV/µs的高共模瞬变免疫力（CMTI），确保输入和输出引脚之间的卓越噪声免疫力。这使其非常适合存在大量电噪声的环境。推挽输出：具有推挽输出，能够同时吸收和提供电流
    toshiba 东芝 光耦 TLP152 产品 规格书 datasheet
  • Microcontrol -- 使用MSP430设计系统监控器
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    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    Microcontrol--使用MSP430设计系统监控器
  • VBZA9945微碧半导体（VBsemi）N沟道SOP8封装MOSFET
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    时间：2023.08.16
    上传者：VBsemi
    VBZA9945是微碧半导体（VBsemi）一款N沟道SOP8封装的MOSFET产品型号
    VBZA9945 微碧 VBsemi n沟道 SOP8 mosfet
  • IPv4IPv6安全网关原理及应用分析
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    IPv6取代IPv4已经成为公认的事实，然而这将是一个长期的、渐进的过程。IPv6的部署大致要经历一个过程。初始阶段，在IPv4的网络海洋中，会出现若干局部零散的IPv6孤岛，为了保持通信，这些孤岛通
  • 中国电信【QCT 2171-2009】网络机柜规范
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    时间：2019.06.17
    上传者：东亚安防
    中国电信【QCT2171-2009】网络机柜规范
  • ESP-32F开发板原理图.pdf
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    时间：2021.10.22
    上传者：Argent
    分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习
    ESP32F 开发板 原理图 pdf
  • 一种基于双数据同步总线的DCS冗余控制单元
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    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    一种基于双数据同步总线的DCS冗余控制单元
  • 【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    大小：348.83KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压
    DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
  • 【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明：N+P沟道，±20V，7/-4.5A，导通电阻20/70mΩ@4.5V，29/106mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压0.71/
    APM2701ACCTRG NP VBsemi sot236 mos datasheet
  • 【FQD6N40CTM-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：FQD6N40CTM-VB丝印：VBE165R07S品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：650V-最大持续电流：7A-开通电阻（RDS(ON)）：700mΩ@10Vgs-阈值电
    FQD6N40CTMVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • QC-zigbee Rev3.2核心板原理图.pdf
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    时间：2021.09.26
    上传者：Argent
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    QCzigbee Rev32 核心板 原理图 pdf
  • 静电放电解决指南
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    时间：2019.06.25
    上传者：feiniao2008
    静电放电解决指南.doc
  • 应用电子、继电线路设计资料
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    时间：2019.06.05
    上传者：feiniao2008
    本设计以AT89S52单片机为核心，构成单片机控制电路，结合DS1302时钟芯片和24C02FLASH存储器，显示阳历年、月、日、星期、时、分、秒和阴历年、月、日，在显示阴历时间时，能标明是否闰月，同
  • YDT 799-2010 通信用阀控式密封铅酸蓄电池
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    时间：2019.06.17
    上传者：东亚安防
    YDT799-2010通信用阀控式密封铅酸蓄电池
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