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NDT2955 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了NDT2955MOSFET，其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管，具有出色的规格，包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通

NDT2955 VBsemi mosfet datasheet
【AO3421E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：AO3421E-VB-丝印：VB2355-品牌：VBsemi-类型：P沟道场效应管-最大漏极电压（Vds）：-30V-最大漏极电流（Ids）：-5.6A-电阻开关特性：RDS(O

AO3421EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
CP2101USB转UART的单芯片桥接器数据手册

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

CP2101USB转UART的单芯片桥接器数据手册
GPRS-EDGE 无线网络规划

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

GPRS/EDGE服务扩展了当前世界上最流行的第二代移动系统—基于语音的GSM，使其能够收发基于分组的数据，最终向着3G的方向演进。GPRS/EDGE的网络规划与传统的GSM网络规划有着很大的不同。数
CDMA网络技术体制讲义

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

总则800MHzCDMA数字蜂窝移动通信网是公用蜂窝移动通信网的一种，它提供全国范围的公众移动通信业务，同时也可为特殊专网用户提供移动通信业务。1．本体制主要依据邮电部电信发展政策制定，遵循的原则是重
HSPA技术关键无线参数专题

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

配置方法建议-相关功能CodeResourceManagement作用域RNC中文缺省值动态配置方法0:静态配置方法1:动态配置方法中文取值范围界面中文名称HS-PDSCH码资源配置方法选无线参数信息
【15N10 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：15N10TO252-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-静态电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-门源

15N10 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
TOSHIBA东芝光耦TLP152产品规格书datasheet

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时间：2024.07.16

上传者：东芝铠侠代理

高噪声免疫力：TLP152具有±20kV/µs的高共模瞬变免疫力（CMTI），确保输入和输出引脚之间的卓越噪声免疫力。这使其非常适合存在大量电噪声的环境。推挽输出：具有推挽输出，能够同时吸收和提供电流

toshiba 东芝光耦 TLP152 产品规格书 datasheet
Microcontrol -- 使用MSP430设计系统监控器

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

Microcontrol--使用MSP430设计系统监控器
VBZA9945微碧半导体（VBsemi）N沟道SOP8封装MOSFET

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时间：2023.08.16

上传者：VBsemi

VBZA9945是微碧半导体（VBsemi）一款N沟道SOP8封装的MOSFET产品型号

VBZA9945 微碧 VBsemi n沟道 SOP8 mosfet
IPv4IPv6安全网关原理及应用分析

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

IPv6取代IPv4已经成为公认的事实，然而这将是一个长期的、渐进的过程。IPv6的部署大致要经历一个过程。初始阶段，在IPv4的网络海洋中，会出现若干局部零散的IPv6孤岛，为了保持通信，这些孤岛通
中国电信【QCT 2171-2009】网络机柜规范

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

中国电信【QCT2171-2009】网络机柜规范
ESP-32F开发板原理图.pdf

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时间：2021.10.22

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分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习

ESP32F 开发板原理图 pdf
一种基于双数据同步总线的DCS冗余控制单元

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种基于双数据同步总线的DCS冗余控制单元
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压

DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明：N+P沟道，±20V，7/-4.5A，导通电阻20/70mΩ@4.5V，29/106mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压0.71/

APM2701ACCTRG NP VBsemi sot236 mos datasheet
【FQD6N40CTM-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FQD6N40CTM-VB丝印：VBE165R07S品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：650V-最大持续电流：7A-开通电阻（RDS(ON)）：700mΩ@10Vgs-阈值电

FQD6N40CTMVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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