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热门搜索： python HarmonyOS 嵌入式 电源 C语言 华为 电子竞赛 单片机 PCB
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  • QC-zigbee Rev3.2核心板原理图.pdf
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    时间：2021.09.26
    上传者：Argent
    分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习
    QCzigbee Rev32 核心板 原理图 pdf
  • 静电放电解决指南
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    时间：2019.06.25
    上传者：feiniao2008
    静电放电解决指南.doc
  • 应用电子、继电线路设计资料
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    时间：2019.06.05
    上传者：feiniao2008
    本设计以AT89S52单片机为核心，构成单片机控制电路，结合DS1302时钟芯片和24C02FLASH存储器，显示阳历年、月、日、星期、时、分、秒和阴历年、月、日，在显示阴历时间时，能标明是否闰月，同
  • YDT 799-2010 通信用阀控式密封铅酸蓄电池
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    大小：347.44KB
    时间：2019.06.17
    上传者：东亚安防
    YDT799-2010通信用阀控式密封铅酸蓄电池
  • GSM_无线信道
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    该信道又称争抢信道。移动台首先通过该信道申请接入网络。由于同时可能有多个移动台会通过该信道申请接入网络，因此可能会发生碰撞。在该信道传递的信息有以下三个：1.接入原因（主叫、被叫、位置更新等）2.随机
  • GSM_无线信道
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    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    为了保证移动台和基站能够正确的接收对方的信息，必须保证移动台和基站的频率一致，即移动台的接收频率与基站的发射频率一致，移动台的发射频率和基站的接收频率一致。在GSM系统中，由于一个基站要同时和若干移动
  • 具有余度供电的直升机机内照明亮度调节控制电路
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    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    具有余度供电的直升机机内照明亮度调节控制电路
  • 【IRF4905PBF-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号:IRF4905PBF-VB丝印:VBM2625品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-50A-静态导通电阻(RDS(ON)):19mΩ@10V,26m
    IRF4905PBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
  • CC2530核心板.pdf
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    大小：345.96KB
    时间：2021.03.30
    上传者：Argent
    现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于BLE应用，智能门锁方面的开发资料，欢迎下载学习。
    cc2530 核心板 pdf
  • 【AP2310GG-HF-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：AP2310GG-HF-VB丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：5A-开通电阻（RDS(ON)）：76mΩ@10Vgs、88mΩ@4.
    AP2310GGHFVB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
  • 视频监控应用白皮书
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    时间：2019.06.17
    上传者：东亚安防
    多年以来，传统的SCADA（监督控制与数据采集）系统一直是自动化控制系统的一个重要部分。尽管SCADA系统的外观和尺寸多种多样，但它们都是用于监视和控制设备与过程的状态。过去，SCADA系统只能依赖简
  • 【2SK2782-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：344.98KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：2SK2782-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：45A-静态开启电阻(RDS(ON))：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源极电
    2SK2782VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 【SUD50P04-08-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：343.05KB
    时间：2024.01.03
    上传者：VBsemi
    型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5
    SUD50P0408GE3 VBsemi TO252 mos datasheet
  • 一种基于CAN总线的多余度目标机在线加载方法
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    大小：342.73KB
    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    一种基于CAN总线的多余度目标机在线加载方法
  • 【AP4407GM-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：342.67KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：AP4407GM-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：1.P沟道2.最大承受电压：-30V3.最大工作电流：-11A4.开阻抗：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V5.门源漏电压
    AP4407GMVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 【AM2308N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    该型号AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET，具有30V电压、6.5A电流的额定参数。其RDS(ON)在10V下为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，适用于20V的门源极
    AM2308NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 【SUD50P04-09L-E3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：341.59KB
    时间：2023.12.28
    上传者：VBsemi
    SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-40V-最大漏极电流：-65A-导通时的电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-栅极电压（Vg
    SUD50P0409LE3 VBsemi TO252 mos datasheet
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