原理图资料下载_第140页-面包板社区

GSM_无线信道

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

该信道又称争抢信道。移动台首先通过该信道申请接入网络。由于同时可能有多个移动台会通过该信道申请接入网络，因此可能会发生碰撞。在该信道传递的信息有以下三个：1.接入原因（主叫、被叫、位置更新等）2.随机
GSM_无线信道

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

为了保证移动台和基站能够正确的接收对方的信息，必须保证移动台和基站的频率一致，即移动台的接收频率与基站的发射频率一致，移动台的发射频率和基站的接收频率一致。在GSM系统中，由于一个基站要同时和若干移动
具有余度供电的直升机机内照明亮度调节控制电路

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

具有余度供电的直升机机内照明亮度调节控制电路
【IRF4905PBF-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:IRF4905PBF-VB丝印:VBM2625品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-50A-静态导通电阻(RDS(ON)):19mΩ@10V,26m

IRF4905PBFVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
CC2530核心板.pdf

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时间：2021.03.30

上传者：Argent

现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于BLE应用，智能门锁方面的开发资料，欢迎下载学习。

cc2530 核心板 pdf
【AP2310GG-HF-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP2310GG-HF-VB丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：5A-开通电阻（RDS(ON)）：76mΩ@10Vgs、88mΩ@4.

AP2310GGHFVB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
视频监控应用白皮书

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

多年以来，传统的SCADA（监督控制与数据采集）系统一直是自动化控制系统的一个重要部分。尽管SCADA系统的外观和尺寸多种多样，但它们都是用于监视和控制设备与过程的状态。过去，SCADA系统只能依赖简
【2SK2782-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK2782-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：45A-静态开启电阻(RDS(ON))：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源极电

2SK2782VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SUD50P04-08-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5

SUD50P0408GE3 VBsemi TO252 mos datasheet
一种基于CAN总线的多余度目标机在线加载方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种基于CAN总线的多余度目标机在线加载方法
【AP4407GM-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AP4407GM-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：1.P沟道2.最大承受电压：-30V3.最大工作电流：-11A4.开阻抗：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V5.门源漏电压

AP4407GMVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AM2308N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

该型号AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET，具有30V电压、6.5A电流的额定参数。其RDS(ON)在10V下为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，适用于20V的门源极

AM2308NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SUD50P04-09L-E3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-40V-最大漏极电流：-65A-导通时的电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SUD50P0409LE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【IRLML2502RP-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRLML2502RP丝印：VB1240品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-开通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-额定

IRLML2502RPVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【HM3400PR-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：HM3400PR丝印：VBI1322品牌：VBsemi参数：N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；0.9Vth(V)；SOT89-3

HM3400PRVB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【MDD3754RH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：MDD3754RH丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压

MDD3754RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD4189-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

AOD4189详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-40V-额定电流:-65A-导通电阻:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.6Vth(V)-封装类

AOD4189VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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