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多路信号同步采集存储系统
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时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
多路信号同步采集存储系统
MSP430F5-04-PMM电源管理模块
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大小:331.59KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
MSP430F5-04-PMM电源管理模块
【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
CED12N10详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:100V-额定电流:15A-导通电阻:115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:1.41Vth(V)-封
CED12N10
VBsemi
TO251
mos
datasheet
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2
APM1403ASCTRLVB
沟道
SC703
封装
mos
datasheet
【STS4DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:331KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
STS4DNF60L(VBA3638)参数说明:2个N沟道,60V,6A,导通电阻27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1.5V,封装:SOP8。应用简介:STS4DNF6
STS4DNF60L
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
12V转3V,12V转1.8V DC-DC 电源 .PW2162
所需E币:0
下载:12
大小:330.67KB
时间:2022.11.03
上传者:夸克微
无锡平芯微PW2162 12V转3V,12V转1.8VDC-DC电源. 代理商技术支持有原厂测试板 13076919501
12v
3V12V
18V
dcdc
电源
PW2162
LDO稳压器基本工作原理及环路补偿
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时间:2019.05.24
上传者:feiniao2008
LDO稳压器基本工作原理及环路补偿
1274B 新原理图D151APR5.pdf
所需E币:2
下载:0
大小:330.5KB
时间:2023.06.12
上传者:张红川
1274B新原理图D151APR5.pdf
1274B
原理图
D151APR5pdf
【4】1274B 新原理图D151APR5.pdf
所需E币:2
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大小:330.49KB
时间:2023.06.12
上传者:张红川
【4】1274B新原理图D151APR5.pdf
1274B
原理图
D151APR5pdf
CS5260设计方案|AG9300替代方案|CS5260Type-C转VGA方案
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大小:330.35KB
时间:2023.06.28
上传者:qq2755130042
CS5260设计方案|AG9300替代方案|CS5260Type-C转VGA方案
CS5260
设计方案
AG9300
替代
方案
CS5260TypeC
vga
方案
功率放大器在Pb污染城市污泥电动性能研究中的应用
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时间:2021.08.30
上传者:aigtek01
功率放大器在Pb污染城市污泥电动性能研究中的应用
功率放大器
pb
污染
城市
污泥
电动
性能
研究中
【MTD6P10ET4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:329.85KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
MTD6P10ET4
VBsemi
TO252
mos
datasheet
树莓派原理图
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下载:0
大小:329.77KB
时间:2022.12.19
上传者:fzyiye
树莓派第4版 原理图
树莓派
原理图
【NTE4153NT1G-VB】N沟道SC75-3封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
NTE4153NT1G详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:20V-额定电流:1A-导通电阻:200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V-门源电压:12Vgs(±V)-阈值电压:0.6Vth(V)-
NTE4153NT1GVB
沟道
SC753
封装
mos
datasheet
AOD403 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:328.95KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了丝印型号为VBE2309的MOS管型号AOD403。这款MOS管属于P沟道类型,适用于广泛的电路应用。它具有出色的性能参数,包括最大承受电压为-30V,最大工作电流为-60A。在标准
AOD403
VBsemi
mosfet
datasheet
【2SK1485-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2SK1485-VB丝印:VBI1101M品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-最大耐压:100V-最大电流:3.1A-静态开启电阻(RDS(ON)):126mΩ@10V,139mΩ@4.5V
2SK1485VB
沟道
SOT893
封装
mos
datasheet
中通网通信试题大全[网络优化试题之英文选择题]
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
中通网通信试题大全[网络优化试题之英文选择题]
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