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【AO6604-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
AO6604详细参数说明:-极性:N+P沟道-额定电压:±20V-额定电流:7A/-4.5A-导通电阻:20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值
AO6604
NP
VBsemi
sot236
mos
datasheet
野火_F407电机驱动控制板原理图
所需E币:4
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大小:322.79KB
时间:2023.01.09
上传者:张红川
野火_F407电机驱动控制板原理图
野火
F407
电机驱动
控制板
原理图
电容是如何实现滤波的?.docx
所需E币:1
下载:5
大小:321.79KB
时间:2024.05.16
上传者:张红川
电容是如何实现滤波的?.docx
电容
如何
实现
滤波
docx
【AO4406A-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:321.65KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:AO4406A-VB-丝印:VBA1311-品牌:VBsemi-参数:N沟道,30V,12A,RDS(ON)为12mΩ(在10V时),15mΩ(在4.5V时),20Vgs的范围为
AO4406AVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
华为内部员工C++中级培训教材
所需E币:4
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大小:321.5KB
时间:2019.06.20
上传者:东亚安防
目录第一章类、接口…………………………………………………………………71.1Handle-Body与接口、抽象接口…………………………………………71.2多继承、与菱形缺陷、this跳转等………………
【AM30N10-70D-T1-PF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:321.2KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:AM30N10-70D-T1-PF-VB丝印:VBE1104N品牌:VBsemi参数说明:-类型:N沟道MOSFET-工作电压:100V-额定电流:40A-开通电阻:30mΩ(10V)、31mΩ
AM30N1070DT1PFVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【ZVN2120GTA-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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大小:320.92KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:ZVN2120GTA丝印:VBJ1201K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):200V-额定电流(ID):1A-开通电阻(RDS(ON)):1100mΩ@
ZVN2120GTAVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
夏普烟雾传感器GP2Y1010AU0F应用手册
所需E币:2
下载:4
大小:320.78KB
时间:2019.05.22
上传者:xiatiezheng_555355118
夏普烟感传感器GP2Y1010AU0F,应用文档。
GP2Y1010AU0F
应用手册
【APM2701AC-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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下载:0
大小:320.16KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:APM2701AC-VB 丝印:VB5222 品牌:VBsemi 参数说明:-沟道类型:N+P沟道-最大电压:±20V-最大电流:7A正向,4.5A反向-开通电阻:
APM2701ACVB
NP
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
【FDG6332C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
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大小:319.99KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
FDG6332C(VBK5213N)参数说明:N+P沟道,±20V,2.5/-1.5A,导通电阻130/230mΩ@4.5V,160/280mΩ@2.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围
FDG6332C
NP
VBsemi
SC706
mos
datasheet
基于单片机的数字温度计资料
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大小:319.79KB
时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
基于单片机的数字温度计资料
飞机驾驶舱信号灯控制系统
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下载:0
大小:318.62KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
飞机驾驶舱信号灯控制系统
【15N10 TO251-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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下载:0
大小:316.87KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:15N10TO251丝印:VBFB1101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:15A-导通电阻:115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-
15N10
TO251VB
沟道
TO251
封装
mos
datasheet
iphone6 主板BM元件分布原理图详细资料
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大小:315.73KB
时间:2023.02.22
上传者:张红川
iphone6主板BM元件分布原理图详细资料
iphone6
主板
bm
元件
原理图
详细
资料
OPA549.pdf
所需E币:0
下载:2
大小:315.66KB
时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
OPA549pdf
CDMA网络规划4
所需E币:2
下载:0
大小:315.5KB
时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
1、控制信道功率规划2、软切换参数规划3、频间切换规划4、重叠的网络覆盖分析5、无线网络测试
CS5801_HDMI to DP转接板设计最新原理图
所需E币:1
下载:6
大小:314.95KB
时间:2022.11.04
上传者:QQ1540182856
LT6711替代方案|HDMItoDP芯片|HDMI转DP转接器方案|HDMI2.0转EDP1.4数据转换器方案芯片|HDMI2.0转EDP数据采集卡方案
CS5801 152789
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