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【FDS6875-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDS6875-NL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-类型：2个P沟道功率MOSFET-额定电压：-30V-额定电流：-7A-开通电阻：35mΩ（在10V）、48mΩ（在4

FDS6875NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI2301BDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2301BDS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压

SI2301BDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【IRLML6401TRPBF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRLML6401TRPBF(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用

IRLML6401TRPBF VBsemi sot23 mos datasheet
【Si2399DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

Si2399DS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V);SOT23应用简介：Si2399DS-

Si2399DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2301DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2301DS-T1-GE3(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：

SI2301DST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS

SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
【SM2300NSAC-TRG-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SM2300NSAC-TRG-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：20V-最大持续电流（Id）：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V

SM2300NSACTRGVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【2SK3484-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

2SK3484-Z-E1-AZ参数：N沟道,100V,18A,RDS(ON)115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),TO252应用简介：2SK3484-Z-E

2SK3484ZE1AZ VBseim TO252 mos datasheet
004電子秤操作規程

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

讀數及量程2.1.1數顯式電子秤可直接由數字顯示屏讀出量測值。2.1.2電子秤量程按自身標示範圍使用，不得超出其量程範圍進行測量。第一種電子秤量程為0.2克至1.2公斤;第二種電子秤量程為2克至10公
【AO7400-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO7400(VBK1270)参数说明:极性：N沟道；额定电压：20V；最大电流：4A；导通电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：1

AO7400 VBsemi SC703 mos datasheet
【FDN302P-NL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

FDN302P-NL(VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，门源电压范围12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23。应用简介

FDN302PNL VBsemi sot23 mos datasheet
高抗干扰/抗噪LCD液晶段码驱动IC-VK2C21参考电路

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时间：2023.07.13

上传者：永嘉微电罗丹

★ 工作电压2.4-5.5V★ 内置32kHzRC振荡器★ 偏置电压（BIAS）可配置为1/3、1/4★ COM周期（DUTY）可配置为1/4、1/8★&nbs

抗干扰抗噪 lcd 液晶段码驱动 ICVK2C21 参考电路
ISO FDIS 26262-7-2011-Production and operation

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时间：2019.06.17

上传者：royalark_912907664

ISO26262Part7：生产和操作

iso FDIS 26262
【NTD3055L170T4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD3055L170T4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：18A-静态开启电阻(RDS(ON))：73mΩ@10V,85mΩ@4.

NTD3055L170T4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO3423-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO3423(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO3423 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO2301-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO2301(VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V；门源电压范围：12Vgs(±V)阈值电压：-0.81V；封装

AO2301 VBsemi sot23 mos datasheet
【SM4027PSU-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SM4027PSU-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-静态开启电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-

SM4027PSUVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

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