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【BSS308PE-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
BSS308PE(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用简介:BSS30
BSS308PE
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【SI3911DV-T1-GE3-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:SI3911DV-T1-GE3丝印:VB4290品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:2个P沟道MOSFET-最大耐压:-20V-最大电流:-4A-导通电阻:75mΩ@4.5V,100mΩ@2
SI3911DVT1GE3VB
2个
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
【WNM2020-3/TR-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:285.63KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
WNM2020-3/TR详细参数说明:-极性:N沟道-额定电压:20V-额定电流:6A-导通电阻:24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压:8Vgs(±V)-阈值电压:0.45~1Vth(V)
WNM20203TRVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【FDC6401N-VB】2个N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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大小:285.53KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:FDC6401N-VB丝印:VB3222品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4.8A-静态导通电阻(RDS(ON)):22mΩ@4.5V-静态导通电阻(RDS
FDC6401NVB
2个
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
F5-4518_8518寄存器定义
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时间:2019.06.24
上传者:东亚安防
本端以太网状态由网管板通过SPI片选直接对KS8995M进行操作,与逻辑芯片无关
电源完整性设计详解
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时间:2019.06.17
上传者:feiniao2008
电源完整性设计详解——原创:于争博士
一种面向智能卡的软硬件协同保护机制
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大小:285.06KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
一种面向智能卡的软硬件协同保护机制
【IPP084N06L3-G-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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大小:284.96KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:IPP084N06L3G-VB-丝印:VBM1606-品牌:VBsemi-参数:N沟道、60V、120A、RDS(ON)、5mΩ@10V、44mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、
IPP084N06L3GVB
沟道
to220
封装
mos
datasheet
【NTF2955PT1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
NTF2955PT1G详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-60V-额定电流:-6.5A-导通电阻:58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1~-3Vth(
NTF2955PT1GVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
【AO3407-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:284.82KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AO3407(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用简介:AO3407适
AO3407
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【2SK2415-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:2SK2415-Z-E1-AZ丝印:VBE1695品牌:VBsemi参数:-频道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:18A-RDS(ON):73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压范
2SK2415ZE1AZVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【FDC6306P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
FDC6306P详细参数说明:-极性:2个P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-4A-导通电阻:75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压:12Vgs(±V)-阈值电压:-1.2~-2.2V
FDC6306P
VBsemi
sot236
mos
datasheet
YD T 1324-2004地下通信管道用硬聚氯乙烯(PVC-U)多孔管
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大小:284.39KB
时间:2019.06.17
上传者:东亚安防
YDT1324-2004地下通信管道用硬聚氯乙烯(PVC-U)多孔管
SIXNET SLIM系列工业以太网管理型交换机
所需E币:2
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大小:284.31KB
时间:2019.06.25
上传者:东亚安防
DIN导轨安装,纤细紧凑•完全可管理,支持多种管理及安全特性•冗余电源输入,确保无故障运行•真正的工业级设计,宽工作温度•条件可设置的继电器报警输出•5端口与8端口系列,全电口、2光口或4光口选项。
【SI2314DS-T1-E3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:SI2314DS-T1-E3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数说明:-**N沟道:**该器件是一种N沟道MOSFET,电流在N沟道中流动,通常用于不同类型的应用,如电源开关等。-**
SI2314DST1E3VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【AP2306GN-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:AP2306GN丝印:VB1240品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:20V-最大电流:6A-导通电阻:24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压:8Vg
AP2306GNVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【DMN3024LSD-13-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
下载:0
大小:283.89KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
型号:DMN3024LSD-13 丝印:VBA3316 品牌:VBsemi 参数:-频道类型:2个N沟道 -额定电压:30V -额定电流:8.5A&n
DMN3024LSD13
VBsemi
SOP8
mos
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