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【SI2347DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SI2347DS-T1-GE3-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi参数:-类型:P沟道-最大耐压:-30V-最大电流:-5.6A-静态开启电阻(RDS(ON)):47mΩ@10V,56mΩ
SI2347DST1GE3VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【BSH103-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
BSH103(VB1330)参数说明:N沟道,30V,6.5A,导通电阻30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),可调阈值电压范围1.2~2.2V,封装:SOT23。应用简介:
BSH103
VBsemi
sot23
mos
datasheet
NRF2401.pdf
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时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
NRF2401pdf
【IRLML9301TRPBF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRLML9301TRPBF-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:P沟道MOSFET-额定电压(Vds):-30V-额定电流(Id):-5.6A-导通电阻(RDS(ON
IRLML9301TRPBFVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【FDS8926A-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
FDS8926A-NL(VBA3328)参数说明:2个N沟道,30V,6.8/6.0A,导通电阻22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V),阈值电压1.73V,封装:SOP8。应用简介:
FDS8926ANL
VBsemi 138088
mos
datasheet
多功能数字时钟设计资料
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时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
电话拨号防盗报警器作为家庭防盗报警器材的一员,非常经济实用。它进入工作警戒后,主控CPU不断检查触发开关的状态,当盗贼入室触发开关时,立即启动电话拨号报警程序向主人告警(当然也可以通过修改软件使其在现
基于AT89S52单片机和DS1302的电子万年历设计资料
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时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
基于AT89S52单片机和DS1302的电子万年历设计资料
调试手册(直放站)
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时间:2019.06.05
上传者:东亚安防
版本说明本手册对应的产品版本为:适用于CW55-40型C3000的400-400M直放站,整机版本RPT03.10.00内容介绍本说明书是SWAN400V直放站(400M-400M)工程调测手册,主要
ULN2003A.pdf
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时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
ULN2003Apdf
【DMG2301U-7-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:DMG2301U-7-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-20V-最大连续漏极电流:-4A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):57mΩ@4.5V,8
DMG2301U7VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【SI2301CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:268.62KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:SI2301CDS-T1-GE3-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压:-20V-最大电流:-4A-导通电阻(RDS(ON)):57mΩ@4.5
SI2301CDST1GE3VB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【CEA3252-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:CEA3252-VB 丝印:VBI1322 品牌:VBsemi 详细参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:30V-额定
CEA3252VB
沟道
SOT893
封装
mos
datasheet
【APM2301CAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
名称:APM2301CAC-TRL 型号:VB2290 品牌:VBsemi 参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-4A-RDS(ON):57mΩ@4.
APM2301CACTRL
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【WPM2341A-3/TR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:WPM2341A-3/TR丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-20V -额定电流(ID):-4A -开通电阻(RD
WPM2341A3TRVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:XP152A12C0MR丝印:VB2290品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-4A-RDS(ON):57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压范围:
XP152A12C0MR
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【IRLML6302TRPBF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:IRLML6302TRPBF丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-20V -额定电流(ID):-4A -开通电阻(R
IRLML6302TRPBFVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【APM2317AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
APM2317AC-TRL是VBsemi公司生产的一款P沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介:参数说明:-频道类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-4A-RDS(ON):57m
APM2317ACTRL
VBsemi
sot23
mos
datasheet
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