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【MI3407-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：MI3407-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-开态电阻(RDS(ON))：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-额定门源

MI3407VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
C8051F系列应用笔记AN012 C8051F0xx 引导装入程序考虑及举例

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

C8051F系列应用笔记AN012C8051F0xx引导装入程序考虑及举例
【SI2347DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI2347DS-T1-GE3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-5.6A-静态开启电阻(RDS(ON))：47mΩ@10V,56mΩ

SI2347DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【BSH103-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

BSH103(VB1330)参数说明：N沟道，30V，6.5A，导通电阻30mΩ@10V，33mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围1.2~2.2V，封装：SOT23。应用简介：

BSH103 VBsemi sot23 mos datasheet
NRF2401.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

NRF2401pdf
【IRLML9301TRPBF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLML9301TRPBF-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-5.6A-导通电阻（RDS(ON

IRLML9301TRPBFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【FDS8926A-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

FDS8926A-NL(VBA3328)参数说明：2个N沟道，30V，6.8/6.0A，导通电阻22mΩ@10V，26mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.73V，封装：SOP8。应用简介：

FDS8926ANL VBsemi 138088 mos datasheet
多功能数字时钟设计资料

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

电话拨号防盗报警器作为家庭防盗报警器材的一员，非常经济实用。它进入工作警戒后，主控CPU不断检查触发开关的状态，当盗贼入室触发开关时，立即启动电话拨号报警程序向主人告警（当然也可以通过修改软件使其在现
基于AT89S52单片机和DS1302的电子万年历设计资料

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

基于AT89S52单片机和DS1302的电子万年历设计资料
调试手册（直放站）

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时间：2019.06.05

上传者：东亚安防

版本说明本手册对应的产品版本为：适用于CW55-40型C3000的400-400M直放站，整机版本RPT03.10.00内容介绍本说明书是SWAN400V直放站（400M-400M）工程调测手册，主要
ULN2003A.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

ULN2003Apdf
【DMG2301U-7-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：DMG2301U-7-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-4A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V，8

DMG2301U7VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2301CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SI2301CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5

SI2301CDST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【CEA3252-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CEA3252-VB 丝印：VBI1322 品牌：VBsemi 详细参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-额定

CEA3252VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【APM2301CAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

名称：APM2301CAC-TRL 型号：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.

APM2301CACTRL VBsemi sot23 mos datasheet
【WPM2341A-3/TR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:WPM2341A-3/TR丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-20V -额定电流(ID):-4A -开通电阻(RD

WPM2341A3TRVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：XP152A12C0MR丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：

XP152A12C0MR VBsemi sot23 mos datasheet

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