帖子
  • 帖子
  • 博文
资料
  • 资料
  • 专题
热门搜索： python HarmonyOS 嵌入式 电源 C语言 华为 电子竞赛 单片机 PCB
技术类别：
资料属性：
消耗E币：
  • 技术类别
  • 资料属性
  • 消耗E币
  • 【SI2323DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：265.38KB
    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号：SI2323DS-T1-GE3丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5
    SI2323DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 【SI2371EDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：265.36KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：SI2371EDS-T1-GE3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-5.6A-导通电阻（RDS(ON)）：47m
    SI2371EDST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 【AP2309GN-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：265.2KB
    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    AP2309GN详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1Vth(V)-封装类
    AP2309GNVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 蓝讯骄龙AB32VG1_V2.0-原理图
    所需E币：1
    下载：3
    大小：265.07KB
    时间：2023.07.31
    上传者：Argent
    蓝讯骄龙AB32VG1_V2.0-原理图
    蓝讯 骄龙 AB32VG1V20 原理图
  • ADC0808_ADC0809
    所需E币：0
    下载：1
    大小：265KB
    时间：2021.09.26
    上传者：Argent
    分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习
    ADC0808ADC0809
  • 【NTJD4401NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：264.99KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    NTJD4401NT1G参数：2个N沟道,20V,2A,RDS(ON)150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.8Vth(V),SC70-6应用简介：NTJD4401NT1G是
    NTJD4401NT1G VBsemi SC706 9882 datasheet
  • 利尔达 -- MSP430外围模块功能简介之四
    所需E币：3
    下载：0
    大小：264.82KB
    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    利尔达--MSP430外围模块功能简介之四
  • IEC61850_garrettcom
    所需E币：0
    下载：2
    大小：264.73KB
    时间：2019.06.18
    上传者：东亚安防
    61850andSecurityWAN/Firewall/ManagedNetworkisasecurityenablingarchitecturePhysicalenvironmentconside
  • 【SSF2341E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：264.67KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：SSF2341E-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-开通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源极电压：12V
    SSF2341EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 【P9006EDG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：264.58KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    P9006EDG(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：P9006E
    P9006EDG VBsemi TO252 mos datasheet
  • F5-4518_8518 网管板硬件PCB设计
    所需E币：2
    下载：0
    大小：264.5KB
    时间：2019.06.24
    上传者：东亚安防
    电源的种类和各种电源的处理方法分为+5V、+3.3V和+2.5V四种电源。+3.3V、+2.5V由+5V分别通过AMS1117-3.3、AMS1117-2.5变换得来，5V为主板输入。电源输入端加电感
  • 【AOD407-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：264.32KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    AOD407(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：AOD4
    AOD407 VBsemi TO252 mos datasheet
  • 2SJ327-Z-E1-AZ-VB一种P沟道TO252封装MOS管
    所需E币：0
    下载：12
    大小：263.7KB
    时间：2023.12.19
    上传者：VBsemi
    2SJ327-Z-E1-AZ(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应
    2SJ327ZE1AZVB VBsemi mosfet TO252 mos管
  • 华为网规网优性能指导书
    所需E币：0
    下载：5
    大小：263.2KB
    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    WCDMARNO专题指导书切换问题分析关键词Keywords：切换问题网络优化选择重选摘要Abstract：本文先对WCDMA系统的切换问题进行了定义，接着给出了切换问题涉及的各类数据的分析流程，并针
  • LG磁控管-2M214
    所需E币：0
    下载：1
    大小：263.03KB
    时间：2024.04.08
    上传者：csfc327_962573035
    LG磁控管-2M214参数资料
    LG 70910
  • 网优中经常使用的参数
    所需E币：0
    下载：4
    大小：263KB
    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    T_ADD参数名称：软切换加入门限英文名称：T_ADD参数描述：当邻集中的导频强度达到该门限时，移动台将其转移到候选集并向基站发送导频强度测量消息，以触发软切换。数值范围：0...63(以-dB/2为
  • GSM数据业务优化总结
    所需E币：1
    下载：0
    大小：262.5KB
    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    数据业务的优化工作因业务类型和网络规模的差异，在不同区域和不同运营商之间存在明显差异，对优化中的侧重点各有不同，本次以成都移动的数据业务网络为例，对数据业务优化中涉及的主要工作和侧重点进行说明和分析。
1 ...157158159160161162163164... 232下一页
上传