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【FDN340P-NL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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FDN340P-NL详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.81Vth(V)

FDN340PNL VBsemi sot23 mos datasheet
【IRFR9024NTRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRFR9024NTRPBF(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应

IRFR9024NTRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
电快速瞬变脉冲群的形成原因,模拟试验和抑制措施

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时间：2019.06.21

上传者：feiniao2008

电快速瞬变脉冲群的形成原因,模拟试验和抑制措施
【AO3419-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AO3419 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：P沟道 -额定电压：-20V -额定电流：-4A -RDS(O

AO3419 VBsemi sot23 mos datasheet
【AO3415-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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AO3415详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.81Vth(V)-封装类

AO3415 VBsemi sot23 mos datasheet
企业信息机API接口说明

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

企业信息机API接口说明(V1.1forV4.1D412)为了企业用户更加简便同时又灵活地实现与短信相关的业务，我们提供了一个企业业务系统接入华为公司短信平台的应用程序开发接口库。该接口库以JAVA方
【APM2301AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：APM2301AC-TRL-VB 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-开通电阻：57

APM2301ACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI1304BDL-T1-GE3-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:SI1304BDL-T1-GE3-VB丝印:VBK1270品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:4A-静态导通电阻(RDS(ON)):45mΩ@10V,

SI1304BDLT1GE3VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【IRLML6401GTRPBF-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLML6401GTRPBF-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-静态开启电阻(RDS(ON))：57mΩ@4.5V,83mΩ@

IRLML6401GTRPBFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【FDG1024NZ-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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FDG1024NZ(VBK3215N)参数说明：2个N沟道，20V，2A，导通电阻150mΩ@4.5V，170mΩ@2.5V，门源电压范围8Vgs(±V)，阈值电压0.8V，封装：SC70-6。应用简

FDG1024NZ VBsemi SC706 mos datasheet
【LBSS139LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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LBSS139LT1G详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：0.3A-导通电阻：2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.6Vth(

LBSS139LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
电压控制 LC 振荡器(

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时间：2019.05.28

上传者：feiniao2008

该电压控制LC振荡器以89C52和MB1504芯片为核心，采用锁相频率合成技术产生高稳定度的正弦信号，设计了一种高性能的数模混合自动稳幅电路，包括峰值检波、A/D转换、单片机控制等，以满足基本要求部分
【SSM3J328R-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SSM3J328R-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-5.6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V，5

SSM3J328RVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI1308EDL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：SI1308EDL-VB丝印：VBK1270品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：4A-开态电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围：

SI1308EDLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【SI2307DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号:SI2307DS-T1-GE3丝印:VB2355品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-5.6A -开通电

SI2307DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SSM3J332R-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SSM3J332R-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-5.6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V，5

SSM3J332RVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2319DS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

SI2319DS-T1-GE3详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A-导通电阻：47mΩ@10V,56mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1Vth

SI2319DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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