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  • DL T 985-2005配电变压器能效技术经济评价导则
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    时间：2019.06.18
    上传者：东亚安防
    DLT985-2005配电变压器能效技术经济评价导则
  • TUSB2140B.pdf
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    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    TUSB2140Bpdf
  • APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明：P沟道，-30V，-26A，导通电阻33mΩ@10V，46mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用
    APM3095PUCTRL VBsemi TO252 mos
  • 【BS250FTA-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号：BS250FTA丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：P沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.87Vth(V)；
    BS250FTAVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 功率开关对电源效率的影响
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    时间：2019.06.11
    上传者：feiniao2008
    高频开关电源运行(电子)允许使用小型被动元件、硬开关模式会导致开关损耗增加,以减少高频转换开关损耗,产业发展软交换技术,负载谐振技术和零电压转换技术被广泛地使用着。这里有负载谐振技术使用电容和电感整个
  • 【APM4826KC-TRG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    APM4826KC-TRG(VBA1311)参数说明：N沟道，30V，12A，导通电阻12mΩ@10V，15mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围0.8~2.5V，封装：SOP8
    APM4826KCTRG VBsemi SOP8 mos datasheet
  • 【AO6402A-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AO6402A-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AO6402A-VB**丝印：**VB7322**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型
    AO6402AVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
  • 【MMBF170LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号:MMBF170LT1G丝印:VB162K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):0.3A -开通电阻(RDS(
    MMBF170LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • DS130_datasheet.pdf
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    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
    有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
    DS130datasheetpdf
  • 【BS170FTA-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号:BS170FTA丝印:VB162K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):0.3A -开通电阻(RDS(ON)
    BS170FTAVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 【NDS351AN-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：NDS351AN-NL-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：6.5A-开通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10Vgs、33mΩ@4
    NDS351ANNLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • CS5261替代RTD2171U最新版设计参考电路
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    时间：2022.02.24
    上传者：qq2755130042
    CS5261替代RTD2171U设计电路，CS5261参考电路图，Type-C转HDMI方案芯片设计资料，CS5261完全替代AG9310电路图
    CS5261 替代RTD2171U CS5261设计参考
  • AP2625GY VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了AP2625GY型号的MOS管，其丝印型号为VB4290。这款MOS管是双P沟道晶体管，具有优异的性能参数。最大工作电压为-20V，最大工作电流为-4A。导通状态下的导通电阻（RDS
    AP2625GY VBsemi mosfet datasheet
  • SIM800C原理图.pdf
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    时间：2021.10.22
    上传者：Argent
    电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电、微机原理、信号处理等知识是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，
    SIM800C 原理图 pdf
  • 【BSN20-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.28
    上传者：VBsemi
    型号：BSN20丝印：VB162K品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：0.3A-导通电阻：2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V-门源电压：2
    BSN20 VBsemi sot23 mos datasheet
  • CDMA800塔顶放大器
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    时间：2019.06.05
    上传者：东亚安防
    本手册介绍了TLA-8001、TLA-8001A型塔顶放大器，描述了塔放的安装、用途、功能、操作及维护。由于设备会不断更新，因此本手册中的描述可能与实际使用中有所不同。本手册中的参数、规格、尺寸及其它
  • AOD4185 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：257.46KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AOD4185是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为10mΩ，在4.
    AOD4185 VBsemi mosfet datasheet
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