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AOD4185 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AOD4185是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为10mΩ，在4.

AOD4185 VBsemi mosfet datasheet
【AO6400-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AO6400丝印：VB7322品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：6A-导通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(

AO6400 VBsemi sot236 mos datasheet
【RSQ045N03TR-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：RSQ045N03TR-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-

RSQ045N03TRVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【SI3460DV-T1-E3-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI3460DV-T1-E3-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：6A-开通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-阈值电压：20Vgs(±V

SI3460DVT1E3VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
IP113 系列收发器故障分析与解决方案

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

目前市面的以太网收发器多采用ICPlus+的IP113系列芯片，经比对后发现ICPlus+推荐的光模块接口（IP113应用电路）对于PECL电平接口的光模块是不正确的，120Ω/600Ω的偏置匹配会使
NTGD3148NT1G VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RD

NTGD3148NT1G VBsemi mosfet datasheet
利尔达 -- MSP430外围模块功能简介之二

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

利尔达--MSP430外围模块功能简介之二
SI2308BDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），

SI2308BDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
【DMP3020LSS-13-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：DMP3020LSS-13-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-11A-导通电阻（RDS(ON)

DMP3020LSS13VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTGS4141NT1G-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTGS4141NT1G-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门

NTGS4141NT1GVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
FDD4141 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

FDD4141是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为10mΩ，在4.

FDD4141 VBsemi mosfet datasheet
【BSS138LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BSS138LT1G-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V,300

BSS138LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
Microcontrol -- 电压对比度控制LCD驱动与新型LCD的发展

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

Microcontrol--电压对比度控制LCD驱动与新型LCD的发展
灵动MM32系列开发板mb024pcb图

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时间：2020.05.07

上传者：星空下的屋顶

灵动MM32系列开发板mb024pcb图

灵动 MM32 系列开发板 mb024pcb
PHS室外无线直放站

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

PHS室外无线直放站
分享一款降压LED恒流驱动芯片-主要应用在汽车照明、LED摩托车、电动车灯 LED照明

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时间：2021.03.29

上传者：东莞市惠海半导体

分享一款降压LED恒流驱动芯片-主要应用在汽车照明、LED摩托车、电动车灯LED照明
AO6800 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了AO6800型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）

AO6800 VBsemi mosfet datasheet