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  • UT2301G-AE3-R VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为
    UT2301GAE3R VBsemi mosfet datasheet
  • zlg7289A.pdf
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    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    zlg7289Apdf
  • DMP2215L-7 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    DMP2215L-7是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m
    DMP2215L7 VBsemi mosfet datasheet
  • SSM3J327R VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ
    SSM3J327R VBsemi mosfet datasheet
  • FDN306P-NL VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    FDN306P-NL是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m
    FDN306PNL VBsemi mosfet datasheet
  • AP2301N VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AP2301N是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在
    AP2301N VBsemi mosfet datasheet
  • 分压电路的特点及原理、关键点.docx
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    时间：2024.05.16
    上传者：张红川
    分压电路的特点及原理、关键点.docx
    分压电路 特点 原理 关键 docx
  • 【IPD30N06S2L-13-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB，丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下：-电压：60V-电流：45A-开启电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5
    IPD30N06S2L13VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • HTC G14 元件分布图.pdf
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    时间：2019.12.02
    上传者：Argent
    这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
  • 【STD35P6LLF6-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    详细参数说明：-型号：STD35P6LLF6-VB-丝印：VBE2625-品牌：VBsemi-功能：P沟道功率MOSFET-最大工作电压：-60V-最大工作电流：-50A-开启电阻(RDS(ON))：
    STD35P6LLF6VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • AO3415A VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AO3415A是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在
    AO3415A VBsemi mosfet datasheet
  • 升压电路
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    大小：238.2KB
    时间：2023.01.06
    上传者：张红川
    低压升压电路图，低功耗
    升压电路
  • 【IRFR4105ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：238.18KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    IRFR4105ZTRPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率场效应晶体管。它的丝印为VBE1638，具有以下详细参数：-额定电压：60V-额定电流：45A-静态电阻：24mΩ@10V,28mΩ
    IRFR4105ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • uA7815CKC.pdf
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    大小：237.65KB
    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    uA7815CKCpdf
  • 【STD16NF06LT4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：237.6KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号:STD16NF06LT4-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V,28m
    STD16NF06LT4VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 【NTD24N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    详细参数说明：-型号：NTD24N06LT4G-VB-丝印：VBE1638-品牌：VBsemi-参数： -极性：N沟道 -额定电压：60V -额定电流：45A 
    NTD24N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • IRLML5203TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：237.5KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了型号为IRLML5203TRPBF的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低
    IRLML5203TRPBF VBsemi mosfet datasheet
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