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  • 【RRQ030P03TR-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    大小：234.56KB
    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：RRQ030P03TR丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电压范围：
    RRQ030P03TRVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
  • 华为交换机基本配置命令
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    时间：2019.06.17
    上传者：东亚安防
    华为交换机基本配置命令一、单交换机VLAN划分命令命令解释system进入系统视图system-view进入系统视图quit退到系统视图undovlan20删除vlan20sysname交换机命名di
  • 【AOD442-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：234.12KB
    时间：2023.12.28
    上传者：VBsemi
    AOD442详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.8Vth(V)-封装类型：TO
    AOD442 VBsemi TO252 mos datasheet
  • TB67S109AFNAG双极步进电机驱动芯片原理图
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    时间：2024.01.03
    上传者：人生折腾
    TB67S109AFNAG双极步进电机驱动芯片
    TB67S109AFNAG 双极 步进 电机驱动芯片 原理图
  • 【IRF5805TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：IRF5805TRPBF-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：4
    IRF5805TRPBFVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
  • cdma2000 1xRTT
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    时间：2019.06.05
    上传者：东亚安防
    cdma2000的基本指导思想是用一个或多个载波组成一个统一的物理信道。将使用一个载波构成一个物理信道的方式叫做1X；将使用三个载波构成一个物理信道的方式叫做3X；它们的基本概念是在基带处理中将需要发
  • W-路测-20050316-A-2.0
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    大小：233KB
    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    目录TableofContents1概述72测试前准备72.1测试工具及车辆72.2测试时间及人员安排72.3测试路线73测试项目83.1DriveTest83.1.1路测设备准备83.1.2测试条件
  • 【PMN50XP-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：PMN50XP-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-4.8A-开启电阻：RDS(ON)=49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
    PMN50XPVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
  • 【RSS075P03TB-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：RSS075P03TB-VB丝印:VBA2317品牌：VBsemi参数说明:-管道类型:P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-管道电阻(RDS(ON))：23mΩ@10V,29mΩ@4.
    RSS075P03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • IRLR2705TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了其最新的N沟道MOS管型号，产品编号为IRLR2705TRPBF。该产品具有优异的性能参数，适用于多种应用场景。丝印型号为VBE1638，其特点包括工作电压高达60V，最大承载电流可
    IRLR2705TRPBF VBsemi mosfet datasheet
  • EVDO信道作用
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    时间：2019.06.06
    上传者：东亚安防
    前向链路（AN到AT），提供了AN对各AT之间的通信。前向链路具有如下特点：数据速率在38.4kbit/s~2457.6kbit/s范围内；始终采用满功率发射，没有功率控制；AT根据对前向信道C/I的
  • 【FDC602P-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    大小：232.37KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：FDC602P-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ@1
    FDC602PVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
  • 2SJ168 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：232.01KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    2SJ168是一款P沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为-60V，额定电流为-0.5A，RDS(ON)参数为3000mΩ（在10V下）和3680mΩ（在4.5V下），以及
    2SJ168 VBsemi mosfet datasheet
  • AT89S52.pdf
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    时间：2021.03.30
    上传者：Argent
    现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于BLE应用，智能门锁方面的开发资料，欢迎下载学习。
    AT89S52pdf
  • SPRO系统主机网络模块参数设置说明手册
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    时间：2019.06.12
    上传者：东亚安防
    SPRO系统主机网络模块参数设置说明手册
  • 大唐电信培训（3G业务总体介绍）
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    时间：2019.06.05
    上传者：东亚安防
    CP/SP管理混乱业务监控不力，投诉较多业务分销模式导致非法行为存在短消息内容无法受控计费欺诈原有系统存在造成无法实现真正的整合，综合业务的开展和业务的统一管理较为困难地域差异、分公司自身特点造成SP
  • 2SK1470 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：230.42KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    2SK1470（VBI1695）是一款N沟道MOS管，封装为SOT89。其产品参数为60V的工作电压，5A的电流承载能力，RDS(ON)为76mΩ@10V、88mΩ@4.5V时，20Vgs范围内。其阈
    2SK1470 VBsemi mosfet datasheet
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