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【IRFR4105ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

IRFR4105ZTRPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率场效应晶体管。它的丝印为VBE1638，具有以下详细参数：-额定电压：60V-额定电流：45A-静态电阻：24mΩ@10V,28mΩ

IRFR4105ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

uA7815CKCpdf
【STD16NF06LT4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:STD16NF06LT4-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V,28m

STD16NF06LT4VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD24N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NTD24N06LT4G-VB-丝印：VBE1638-品牌：VBsemi-参数： -极性：N沟道 -额定电压：60V -额定电流：45A

NTD24N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
IRLML5203TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为IRLML5203TRPBF的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低

IRLML5203TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【NTD20N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：NTD20N06LT4G-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V，28mΩ@4.5V-硅极电压：20V

NTD20N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
电快速瞬变脉冲群抗扰度试验

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时间：2019.06.21

上传者：feiniao2008

电快速瞬变脉冲群抗扰度试验
【IPD26N06S2L-35-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IPD26N06S2L-35-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：60V-额定电流（Id）：45A-静态导通电阻（RDS(ON)）：2

IPD26N06S2L35VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
Thinking In Java 练习题答案第四版

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时间：2019.06.17

上传者：JC丶

ThinkingInJava练习题答案第四版ThinkingInJava练习题答案第四版ThinkingInJava练习题答案第四版

Thinking
【SI3477DV-T1-GE3-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：SI3477DV-T1-GE3丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电

SI3477DVT1GE3VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
SIXNET SL-8MG全千兆工业以太网管理型交换机

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时间：2019.06.25

上传者：东亚安防

•8个端口全部支持千兆以太网•4个SFP光电组合端口，可任意组合•SFP端口可选择100M或1000M收发器•DIN导轨安装，纤细紧凑•完全可管理，支持多种管理及安全特性•冗余电源输入，确保无故障运行
【FQU15N06L-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：FQU15N06L-VB 丝印：VBFB1630 品牌：VBsemi 参数：N沟道,60V,25A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs

FQU15N06LVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【IRF5803TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

IRF5803TRPBF详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-导通电阻：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1~-3Vth

IRF5803TRPBFVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
CDMA和GSM兼容问题

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时间：2019.06.05

上传者：东亚安防

2.线性放大的要求：将信号放大同样的功率，CDMA对功放的要求比GSM对功放的要求高10dB，即要求功放必须工作在绝对线性状态。
AO3401 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种电路应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电阻为

ao3401 VBsemi mosfet datasheet
【NTGS3455T1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：NTGS3455T1G丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-4.8A-导通电阻：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源

NTGS3455T1G VBsemi sot236 mos datasheet
CDMA组网11(蒙林）

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

1。联通新时空CDMA工作频段2.CDMA导频相位偏置规划3.CDMA系统切换考虑4.质量目标和话务模型5.CDMA基站信通容量6.CDMA直放站信源和覆盖分区

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