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    时间:2019.06.14
    上传者:feiniao2008
    AWG30及更细的导线接线柱连接案例
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    时间:2021.04.25
    上传者:Argent
    电子产品日新月异,不管是硬件工程师还是软件工程师,基本的模电、数电知识也是必备的条件,从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻
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    时间:2023.10.09
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号AP2306AGN,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
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    时间:2024.06.17
    上传者:张红川
    常用LED驱动电路原理图详解,各类电源性能之比较.docx
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    时间:2019.06.10
    上传者:东亚安防
    背景本文一直想留给做小车的同学去写,期望他们在制作过程中能够悟出其中的道理。可无奈等至今日也未见一文半字,却接到了无数的质询:你为何要用分立元件构建H桥驱动?为何不选择L298集成电路桥?为何要使用M
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    时间:2019.06.21
    上传者:feiniao2008
    电快速瞬变脉冲群的抑制
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号AO3400,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS(ON
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    时间:2019.06.05
    上传者:feiniao2008
    数控云台proteus仿真+程序资料
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    时间:2024.05.16
    上传者:张红川
    变压器和电感——匝数对饱和的影响.docx
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    时间:2019.06.10
    上传者:东亚安防
    三种电路:共基,共发,共集以典型的共发射极为例:利用基极电流对集电极电流的控制作用可以实现放大作用(一)共发射极电路:T:NPN型晶体管,放大的核心部件EC:集电极回路直流电源提供C结反偏RC:集电极
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    时间:2019.06.06
    上传者:feiniao2008
    基于单片机的数字钟设计资料
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    时间:2023.01.09
    上传者:张红川
    制正弦波逆变器及电路图
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    时间:2020.05.07
    上传者:星空下的屋顶
    灵动MM32系列开发板mb022pcb
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    时间:2019.06.10
    上传者:东亚安防
    运算放大器运算放大器主要用于信号的放大与处理,在分析与设计运算放大器电路时应该注意器件本身重要的三个基本特性:虚短、虚断、虚地。运算放大器基本应用电路:
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    时间:2019.06.03
    上传者:东亚安防
    系统消息向移动台提供网络的信息,从而使移动台获得服务系统消息在每个小区的BCCH(IDLEMODE)和下行SACCH(ACTIVEMODE)连续发送13种类型的系统消息类型1,2,2bis,2ter,
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    时间:2019.06.10
    上传者:东亚安防
    系统消息向移动台提供网络的信息,从而使移动台获得服务系统消息在每个小区的BCCH(IDLEMODE)和下行SACCH(ACTIVEMODE)连续发送13种类型的系统消息类型1,2,2bis,2ter,