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NTR4503NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
NTR4503NT1G
VBsemi
mosfet
datasheet
常用LED驱动电路原理图详解,各类电源性能之比较.d
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时间:2024.06.17
上传者:张红川
常用LED驱动电路原理图详解,各类电源性能之比较.docx
常用
led
驱动
电路原理图
详解
各类
电源性能
比较
关于直流电机 H 桥驱动方案的选择
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时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
背景本文一直想留给做小车的同学去写,期望他们在制作过程中能够悟出其中的道理。可无奈等至今日也未见一文半字,却接到了无数的质询:你为何要用分立元件构建H桥驱动?为何不选择L298集成电路桥?为何要使用M
电快速瞬变脉冲群的抑制
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时间:2019.06.21
上传者:feiniao2008
电快速瞬变脉冲群的抑制
AO3400 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了MOSFET型号AO3400,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS(ON
ao3400
VBsemi
mosfet
datasheet
数控云台proteus仿真+程序资料
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时间:2019.06.05
上传者:feiniao2008
数控云台proteus仿真+程序资料
变压器和电感——匝数对饱和的影响.docx
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时间:2024.05.16
上传者:张红川
变压器和电感——匝数对饱和的影响.docx
变压器
电感
匝数
影响
docx
1放大电路基础计算类
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大小:221.33KB
时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
三种电路:共基,共发,共集以典型的共发射极为例:利用基极电流对集电极电流的控制作用可以实现放大作用(一)共发射极电路:T:NPN型晶体管,放大的核心部件EC:集电极回路直流电源提供C结反偏RC:集电极
基于单片机的数字钟设计资料
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时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
基于单片机的数字钟设计资料
制正弦波逆变器及电路图
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大小:220.28KB
时间:2023.01.09
上传者:张红川
制正弦波逆变器及电路图
正弦波逆变器
电路图
灵动MM32系列开发板mb022pcb
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时间:2020.05.07
上传者:星空下的屋顶
灵动MM32系列开发板mb022pcb
灵动
MM32
系列
开发板
mb022pcb
1常用器件电路
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大小:220KB
时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
运算放大器运算放大器主要用于信号的放大与处理,在分析与设计运算放大器电路时应该注意器件本身重要的三个基本特性:虚短、虚断、虚地。运算放大器基本应用电路:
GSM_系统消息
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
系统消息向移动台提供网络的信息,从而使移动台获得服务系统消息在每个小区的BCCH(IDLEMODE)和下行SACCH(ACTIVEMODE)连续发送13种类型的系统消息类型1,2,2bis,2ter,
GSM_系统消息
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时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
系统消息向移动台提供网络的信息,从而使移动台获得服务系统消息在每个小区的BCCH(IDLEMODE)和下行SACCH(ACTIVEMODE)连续发送13种类型的系统消息类型1,2,2bis,2ter,
有源滤波器精确设计手册第102页4阶MFB巴特沃斯带通滤波器例子的计算
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时间:2023.01.09
上传者:张红川
有源滤波器精确设计手册第102页4阶MFB巴特沃斯带通滤波器例子的计算
pm4020a.pdf
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时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
pm4020apdf
SIXNET自动化应用案例
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时间:2019.06.25
上传者:东亚安防
油气集输工程—胜利油田天然气计量信息系统胜利油田油气集输公司天然气采输系统共负责8个油气田的开发管理。管辖气井203口,集气处理站23座,配气站2座,压气站2座,预处理站1座,厂际交接口计量站3个,油
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