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【TPC6111-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:TPC6111丝印:VB8338品牌:VBsemi参数:-频道类型:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-4.8A-RDS(ON):49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压范围:±20V
TPC6111VB
沟道
sot236
封装
mos
datasheet
SF1 I2C控制内置FLASH读写
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大小:242.58KB
时间:2023.04.23
上传者:EPTmachine
SF1I2C控制内置FLASH读写
SF1
I2C
控制
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flash
读写
室外全向天线
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时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
概述1.1天线特点OOA-360/V11-DC型室外全向天线具有以下特点:•该款天线外型美观、全向辐射,抱杆安装。用于DCS室外信号的接收和覆盖。•具有良好的防雨、防潮、防盐雾、防紫外线能力。1.2用
【IRFR9024TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRFR9024TRPBF-VB丝印:VBE2610N品牌:VBsemi详细参数说明:-P沟道-最大耐压:-60V-最大漏源电流:-38A-开启电阻RDS(ON):61mΩ@10V;72mΩ@4
IRFR9024TRPBFVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
CC2650RC Quick Start User's Guide
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大小:242.14KB
时间:2019.06.14
上传者:royalark_912907664
CC2650RCQuickStartUser'sGuide
CC2650RC
user
guide
全桥充电器原理图
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时间:2023.01.06
上传者:张红川
800W全桥充电器原理图
全桥
充电器原理图
【IRLR9343TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:241.51KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
IRLR9343TRPBF(VBE2610N)参数说明:P沟道,-60V,-38A,导通电阻61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应用
IRLR9343TRPBF
VBsemi
TO252
mos
datasheet
Video_Transmission_in_TMS
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时间:2019.06.25
上传者:东亚安防
VideocamerasplayanimportantroleinprovidingadministratorsofmodernTransportationManagementSystemswithr
【IRFR3410TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:IRFR3410TRPBF-VB-丝印:VBE1104N-品牌:VBsemi-类型:N沟道-最大电压(Vds):100V-最大电流(Id):40A-开态电阻(RDS(ON)):3
IRFR3410TRPBFVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【FDD3680-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:240.63KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:FDD3680-VB丝印:VBE1104N品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:N沟道-额定电压(Vds):100V-额定电流(Id):40A-静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@1
FDD3680VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
自制实用多功能编程器资料
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大小:240.54KB
时间:2019.06.05
上传者:feiniao2008
这里介绍的一款多功能编程器,功能强大,支持大多数常用的EPROM,EEPROM,FLASH,I2C,PIC,MCS-51,AVR,93Cxx等系列芯片(超过400种)。硬件成本较低,性价比很高。既适合
SI2305DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:240.15KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参
SI2305DST1GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
SSM3J36FS VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
SSM3J36FS(VBTA2245N)是一款P沟道MOS型晶体管,采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ,在2.5
SSM3J36FS
VBsemi
mosfet
datasheet
IRLML6402TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
IRLML6402TRPBF是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数
IRLML6402TRPBF
VBsemi
mosfet
datasheet
ZLG7289.PDF
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时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
ZLG7289PDF
【IRFR3710ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:240.06KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRFR3710ZTRPBF-VB丝印:VBE1102N品牌:VBsemi详细参数说明:-管脚类型:TO252-极性:N沟道-额定电压:100V-额定电流:45A-静态电阻:18mΩ@10V,2
IRFR3710ZTRPBFVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
BSS常见告警分析
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
机房运行维护人员经常会碰到告警,有些告警是操作维护过程中自然产生的,有些告警是瞬时性的,不会影响系统正常运行,但大多数告警是会影响系统性能的,有的甚至会导致BSS复位,对移动通信系统造成严重影响。因此
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