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【IRF5803TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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IRF5803TRPBF详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-导通电阻：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1~-3Vth

IRF5803TRPBFVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
AO3401 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种电路应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电阻为

ao3401 VBsemi mosfet datasheet
【NTGS3455T1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：NTGS3455T1G丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-4.8A-导通电阻：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源

NTGS3455T1G VBsemi sot236 mos datasheet
【APM4828KC-TRL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4828KC-TRL-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：12A-开通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10Vgs、15mΩ

APM4828KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【RRQ030P03TR-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：RRQ030P03TR丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电压范围：

RRQ030P03TRVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【AOD442-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

AOD442详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.8Vth(V)-封装类型：TO

AOD442 VBsemi TO252 mos datasheet
TB67S109AFNAG双极步进电机驱动芯片原理图

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时间：2024.01.03

上传者：人生折腾

TB67S109AFNAG双极步进电机驱动芯片

TB67S109AFNAG 双极步进电机驱动芯片原理图
【IRF5805TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF5805TRPBF-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：4

IRF5805TRPBFVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【PMN50XP-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：PMN50XP-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-4.8A-开启电阻：RDS(ON)=49mΩ@10V,54mΩ@4.5V

PMN50XPVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【RSS075P03TB-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS075P03TB-VB丝印:VBA2317品牌：VBsemi参数说明:-管道类型:P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-管道电阻(RDS(ON))：23mΩ@10V,29mΩ@4.

RSS075P03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
IRLR2705TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了其最新的N沟道MOS管型号，产品编号为IRLR2705TRPBF。该产品具有优异的性能参数，适用于多种应用场景。丝印型号为VBE1638，其特点包括工作电压高达60V，最大承载电流可

IRLR2705TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【FDC602P-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDC602P-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ@1

FDC602PVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
2SJ168 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

2SJ168是一款P沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为-60V，额定电流为-0.5A，RDS(ON)参数为3000mΩ（在10V下）和3680mΩ（在4.5V下），以及

2SJ168 VBsemi mosfet datasheet
AT89S52.pdf

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时间：2021.03.30

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现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于BLE应用，智能门锁方面的开发资料，欢迎下载学习。

AT89S52pdf
SPRO系统主机网络模块参数设置说明手册

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时间：2019.06.12

上传者：东亚安防

SPRO系统主机网络模块参数设置说明手册
大唐电信培训（3G业务总体介绍）

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时间：2019.06.05

上传者：东亚安防

CP/SP管理混乱业务监控不力，投诉较多业务分销模式导致非法行为存在短消息内容无法受控计费欺诈原有系统存在造成无法实现真正的整合，综合业务的开展和业务的统一管理较为困难地域差异、分公司自身特点造成SP
2SK1470 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

2SK1470（VBI1695）是一款N沟道MOS管，封装为SOT89。其产品参数为60V的工作电压，5A的电流承载能力，RDS(ON)为76mΩ@10V、88mΩ@4.5V时，20Vgs范围内。其阈

2SK1470 VBsemi mosfet datasheet