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  • 2SJ168 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    2SJ168是一款P沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为-60V，额定电流为-0.5A，RDS(ON)参数为3000mΩ（在10V下）和3680mΩ（在4.5V下），以及
    2SJ168 VBsemi mosfet datasheet
  • AT89S52.pdf
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    时间：2021.03.30
    上传者：Argent
    现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于BLE应用，智能门锁方面的开发资料，欢迎下载学习。
    AT89S52pdf
  • SPRO系统主机网络模块参数设置说明手册
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    时间：2019.06.12
    上传者：东亚安防
    SPRO系统主机网络模块参数设置说明手册
  • 大唐电信培训（3G业务总体介绍）
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    时间：2019.06.05
    上传者：东亚安防
    CP/SP管理混乱业务监控不力，投诉较多业务分销模式导致非法行为存在短消息内容无法受控计费欺诈原有系统存在造成无法实现真正的整合，综合业务的开展和业务的统一管理较为困难地域差异、分公司自身特点造成SP
  • 2SK1470 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    2SK1470（VBI1695）是一款N沟道MOS管，封装为SOT89。其产品参数为60V的工作电压，5A的电流承载能力，RDS(ON)为76mΩ@10V、88mΩ@4.5V时，20Vgs范围内。其阈
    2SK1470 VBsemi mosfet datasheet
  • 灵动MM32系列开发板mb025pcb图
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    时间：2020.05.07
    上传者：星空下的屋顶
    灵动MM32系列开发板mb025pcb图
    灵动 MM32 系列 开发板 mb025pcb
  • TD-SCDMA直放技术
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    TD-SCDMA直放技术
  • 【STB30NF20-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：STB30NF20-VB丝印：VBL1208N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：200V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V-门
    STB30NF20VB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
  • 灵动MM32系列开发板mb023pcb
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    时间：2020.05.07
    上传者：星空下的屋顶
    灵动MM32系列开发板mb023pcb图
    灵动 MM32 系列 开发板 mb023pcb
  • 【FDC5661N-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.28
    上传者：VBsemi
    FDC5661N详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：7A-导通电阻：30mΩ@10V,35mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1~3Vth(V)-封装类型：S
    FDC5661N VBsemi sot236 mos datasheet
  • 005電容表操作規程
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    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    操作步驟2.1讀數及量程2.1.1數顯電容表可直接由數字顯示屏讀出量測值，在測量中應注意參考誤差值。2.1.2電容表量程按自身標示範圍使用，不得超出其量程範圍進行測量。2.2測量前校零
  • 【STN3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：STN3PF06-VB丝印：VBJ2658品牌：VBsemi参数：-P沟道--60V--6.5A-RDS(ON)：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-20Vgs(±V)--1~-3Vth(V)
    STN3PF06VB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
  • 【SI6913DQ-T1-GE3-VB】2个P沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：225.2KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印：VBC6P3033品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.2A-导通电阻：33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-
    SI6913DQT1GE3VB 2个 沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
  • HC-SR04超声波测距模块.pdf
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    大小：223.57KB
    时间：2021.04.25
    上传者：Argent
    电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻
    HCSR04 超声波测距模块 pdf
  • AP2306AGN VBssemi Datasheet
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    大小：223.54KB
    时间：2023.10.09
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号AP2306AGN，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS
    AP2306AGN VBssemi datasheet
  • NTR4503NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：223.09KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
    NTR4503NT1G VBsemi mosfet datasheet
  • 关于直流电机 H 桥驱动方案的选择
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    下载：8
    大小：222.5KB
    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    背景本文一直想留给做小车的同学去写，期望他们在制作过程中能够悟出其中的道理。可无奈等至今日也未见一文半字，却接到了无数的质询：你为何要用分立元件构建H桥驱动？为何不选择L298集成电路桥？为何要使用M
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