帖子
  • 帖子
  • 博文
资料
  • 资料
  • 专题
热门搜索： python HarmonyOS 嵌入式 电源 C语言 华为 电子竞赛 单片机 PCB
技术类别：
资料属性：
消耗E币：
  • 技术类别
  • 资料属性
  • 消耗E币
  • 【NTJD4001NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：239.57KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号:NTJD4001NT1G-VB丝印:VBK3215N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:2A-静态导通电阻(RDS(ON)):150mΩ@4.5V,1
    NTJD4001NT1GVB 2个 沟道 SC706 封装 mos datasheet
  • SI2333DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：239.56KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
    SI2333DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • UT2301G-AE3-R VBsemi MOSFET Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：239.46KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为
    UT2301GAE3R VBsemi mosfet datasheet
  • zlg7289A.pdf
    所需E币：0
    下载：2
    大小：239.3KB
    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    zlg7289Apdf
  • DMP2215L-7 VBsemi MOSFET Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：239.21KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    DMP2215L-7是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m
    DMP2215L7 VBsemi mosfet datasheet
  • SSM3J327R VBsemi MOSFET Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：239.06KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ
    SSM3J327R VBsemi mosfet datasheet
  • FDN306P-NL VBsemi MOSFET Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：238.98KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    FDN306P-NL是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m
    FDN306PNL VBsemi mosfet datasheet
  • AP2301N VBsemi MOSFET Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：238.94KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AP2301N是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在
    AP2301N VBsemi mosfet datasheet
  • 【IPD30N06S2L-13-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：238.76KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB，丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下：-电压：60V-电流：45A-开启电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5
    IPD30N06S2L13VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • HTC G14 元件分布图.pdf
    所需E币：0
    下载：0
    大小：238.74KB
    时间：2019.12.02
    上传者：Argent
    这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
  • 【STD35P6LLF6-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：238.56KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    详细参数说明：-型号：STD35P6LLF6-VB-丝印：VBE2625-品牌：VBsemi-功能：P沟道功率MOSFET-最大工作电压：-60V-最大工作电流：-50A-开启电阻(RDS(ON))：
    STD35P6LLF6VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • AO3415A VBsemi MOSFET Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：238.42KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AO3415A是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在
    AO3415A VBsemi mosfet datasheet
  • 升压电路
    所需E币：0
    下载：3
    大小：238.2KB
    时间：2023.01.06
    上传者：张红川
    低压升压电路图，低功耗
    升压电路
  • 【IRFR4105ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：1
    大小：238.18KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    IRFR4105ZTRPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率场效应晶体管。它的丝印为VBE1638，具有以下详细参数：-额定电压：60V-额定电流：45A-静态电阻：24mΩ@10V,28mΩ
    IRFR4105ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • uA7815CKC.pdf
    所需E币：0
    下载：2
    大小：237.65KB
    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    uA7815CKCpdf
  • 【STD16NF06LT4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：237.6KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号:STD16NF06LT4-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V,28m
    STD16NF06LT4VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 【NTD24N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
    所需E币：0
    下载：0
    大小：237.51KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    详细参数说明：-型号：NTD24N06LT4G-VB-丝印：VBE1638-品牌：VBsemi-参数： -极性：N沟道 -额定电压：60V -额定电流：45A 
    NTD24N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
1 ...808182838485868788... 124下一页
上传