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【NIF5002NT3G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NIF5002NT3G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：4A-静态开启电阻(RDS(ON))：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门

NIF5002NT3GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
TLC7528.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

TLC7528pdf
RSR020N06TL VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

RSR020N06TL是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，10V时的RDS(ON)参数为85mΩ，4.5V时为96mΩ，电压限制为20Vg

RSR020N06TL VBsemi mosfet datasheet
【APM4927KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

APM4927KC-TRL-VB是一款由VBsemi品牌生产的型号，其丝印为VBA4317。该器件是一款双P沟道功率场效应晶体管，主要参数如下：-额定电压：-30V-额定电流：-8.5A-RDS(ON

APM4927KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
IRLML0060TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

IRLML0060TRPBF是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及

IRLML0060TRPBF VBsemi mosfet datasheet
AP2310GN VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AP2310GN是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(

AP2310GN VBsemi mosfet datasheet
【AO4354-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AO4354(VBA1303)参数说明：N沟道，30V，18A，导通电阻5mΩ@10V，6.5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.72V，封装：SOP8。应用简介：AO4354是一

AO4354 VBsemi SOP8 mos datasheet
DDR的设计资料1

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

DIMMWiringDetailsSignalGroupsThisspecificationcategorizesDDRSDRAMtiming-criticalsignalsintofivegroup
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压

FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
SP5026

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

SP5026
APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低导通电阻，

APM2305AC VBsemi mosfet datasheet
2N7002ET1G-VB一种N沟道SOT23封装MOS管

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时间：2023.12.19

上传者：VBsemi

型号：2N7002ET1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：0.3A-开通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10Vgs、3000m

2N7002ET1GVB VBsemi mosfet sot23 mos管
【TPC6111-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：TPC6111丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V

TPC6111VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
SF1 I2C控制内置FLASH读写

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时间：2023.04.23

上传者：EPTmachine

SF1I2C控制内置FLASH读写

SF1 I2C 控制内置 flash 读写
【IRFR9024TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRFR9024TRPBF-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-60V-最大漏源电流：-38A-开启电阻RDS(ON)：61mΩ@10V；72mΩ@4

IRFR9024TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
全桥充电器原理图

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时间：2023.01.06

上传者：张红川

800W全桥充电器原理图

全桥充电器原理图
【IRLR9343TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR9343TRPBF(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用

IRLR9343TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet