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  • 【AOD407-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：264.32KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    AOD407(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：AOD4
    AOD407 VBsemi TO252 mos datasheet
  • 2SJ327-Z-E1-AZ-VB一种P沟道TO252封装MOS管
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    大小：263.7KB
    时间：2023.12.19
    上传者：VBsemi
    2SJ327-Z-E1-AZ(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应
    2SJ327ZE1AZVB VBsemi mosfet TO252 mos管
  • 华为网规网优性能指导书
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    WCDMARNO专题指导书切换问题分析关键词Keywords：切换问题网络优化选择重选摘要Abstract：本文先对WCDMA系统的切换问题进行了定义，接着给出了切换问题涉及的各类数据的分析流程，并针
  • LG磁控管-2M214
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    时间：2024.04.08
    上传者：csfc327_962573035
    LG磁控管-2M214参数资料
    LG 70910
  • 网优中经常使用的参数
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    T_ADD参数名称：软切换加入门限英文名称：T_ADD参数描述：当邻集中的导频强度达到该门限时，移动台将其转移到候选集并向基站发送导频强度测量消息，以触发软切换。数值范围：0...63(以-dB/2为
  • 【TSM3404CX RF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：TSM3404CXRF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6.5A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-
    TSM3404CX RFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 接口简介
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    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    1、485总线的通讯距离可以达到1200米。根据485总线结构理论，在理想环境的前提下，485总线传输距离可以达到1200米。其条件是通讯线材优质达标，波特率为9600，只负载一台485设备，才能使得
  • 【NT2955G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    NT2955G(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：NT2
    NT2955G VBsemi TO252 mos datasheet
  • DM00095523.pdf
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    时间：2021.09.24
    上传者：Argent
    FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手
    DM00095523pdf
  • 【IRLMS6802TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    IRLMS6802TRPBF(VB8338)参数说明：P沟道，-30V，-4.8A，导通电阻49mΩ@10V，54mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT23-6。应用简
    IRLMS6802TRPBF VBsemi sot236 mos datasheet
  • 【BSL302SN-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    大小：259.9KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：BSL302SN-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门
    BSL302SNVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
  • 【NTD12N10-1G-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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    大小：259.83KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：NTD12N10-1G-VB丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：100V-额定电流（Id）：15A-静态导通电阻（RDS(ON)）：1
    NTD12N101GVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
  • 【FQT5P10-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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    大小：259.82KB
    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号：FQT5P10丝印：VBJ2102M品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-3A-RDS(ON)：200mΩ@10V，240mΩ@4.5V-门源电压范围：±
    FQT5P10VB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
  • TUSB2140B.pdf
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    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    TUSB2140Bpdf
  • APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明：P沟道，-30V，-26A，导通电阻33mΩ@10V，46mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用
    APM3095PUCTRL VBsemi TO252 mos
  • 【BS250FTA-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号：BS250FTA丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：P沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.87Vth(V)；
    BS250FTAVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 【APM4826KC-TRG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    APM4826KC-TRG(VBA1311)参数说明：N沟道，30V，12A，导通电阻12mΩ@10V，15mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围0.8~2.5V，封装：SOP8
    APM4826KCTRG VBsemi SOP8 mos datasheet
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