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热门搜索： python HarmonyOS 嵌入式 电源 C语言 华为 电子竞赛 单片机 PCB
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  • ADC0808_ADC0809
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    时间：2021.09.26
    上传者：Argent
    分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习
    ADC0808ADC0809
  • 【NTJD4401NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    NTJD4401NT1G参数：2个N沟道,20V,2A,RDS(ON)150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V,8Vgs(±V),0.8Vth(V),SC70-6应用简介：NTJD4401NT1G是
    NTJD4401NT1G VBsemi SC706 9882 datasheet
  • IEC61850_garrettcom
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    时间：2019.06.18
    上传者：东亚安防
    61850andSecurityWAN/Firewall/ManagedNetworkisasecurityenablingarchitecturePhysicalenvironmentconside
  • 【SSF2341E-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：SSF2341E-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-20V-最大电流：-4A-开通电阻：57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V-门源极电压：12V
    SSF2341EVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 【P9006EDG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    P9006EDG(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：P9006E
    P9006EDG VBsemi TO252 mos datasheet
  • 【AOD407-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    AOD407(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：AOD4
    AOD407 VBsemi TO252 mos datasheet
  • 2SJ327-Z-E1-AZ-VB一种P沟道TO252封装MOS管
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    时间：2023.12.19
    上传者：VBsemi
    2SJ327-Z-E1-AZ(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应
    2SJ327ZE1AZVB VBsemi mosfet TO252 mos管
  • 华为网规网优性能指导书
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    WCDMARNO专题指导书切换问题分析关键词Keywords：切换问题网络优化选择重选摘要Abstract：本文先对WCDMA系统的切换问题进行了定义，接着给出了切换问题涉及的各类数据的分析流程，并针
  • LG磁控管-2M214
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    时间：2024.04.08
    上传者：csfc327_962573035
    LG磁控管-2M214参数资料
    LG 70910
  • 网优中经常使用的参数
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    T_ADD参数名称：软切换加入门限英文名称：T_ADD参数描述：当邻集中的导频强度达到该门限时，移动台将其转移到候选集并向基站发送导频强度测量消息，以触发软切换。数值范围：0...63(以-dB/2为
  • 【TSM3404CX RF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：TSM3404CXRF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6.5A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-
    TSM3404CX RFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • 接口简介
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    时间：2019.06.04
    上传者：东亚安防
    1、485总线的通讯距离可以达到1200米。根据485总线结构理论，在理想环境的前提下，485总线传输距离可以达到1200米。其条件是通讯线材优质达标，波特率为9600，只负载一台485设备，才能使得
  • 【NT2955G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    NT2955G(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：NT2
    NT2955G VBsemi TO252 mos datasheet
  • DM00095523.pdf
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    时间：2021.09.24
    上传者：Argent
    FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手
    DM00095523pdf
  • 【IRLMS6802TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    IRLMS6802TRPBF(VB8338)参数说明：P沟道，-30V，-4.8A，导通电阻49mΩ@10V，54mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT23-6。应用简
    IRLMS6802TRPBF VBsemi sot236 mos datasheet
  • 【BSL302SN-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：BSL302SN-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门
    BSL302SNVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
  • 【NTD12N10-1G-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：NTD12N10-1G-VB丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：100V-额定电流（Id）：15A-静态导通电阻（RDS(ON)）：1
    NTD12N101GVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
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