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【AO6402A-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AO6402A-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AO6402A-VB**丝印：**VB7322**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

AO6402AVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【MMBF170LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:MMBF170LT1G丝印:VB162K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):0.3A -开通电阻(RDS(

MMBF170LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
DS130_datasheet.pdf

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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

DS130datasheetpdf
【BS170FTA-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:BS170FTA丝印:VB162K品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):0.3A -开通电阻(RDS(ON)

BS170FTAVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NDS351AN-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NDS351AN-NL-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：6.5A-开通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10Vgs、33mΩ@4

NDS351ANNLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
CS5261替代RTD2171U最新版设计参考电路

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时间：2022.02.24

上传者：qq2755130042

CS5261替代RTD2171U设计电路，CS5261参考电路图，Type-C转HDMI方案芯片设计资料，CS5261完全替代AG9310电路图

CS5261 替代RTD2171U CS5261设计参考
AP2625GY VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了AP2625GY型号的MOS管，其丝印型号为VB4290。这款MOS管是双P沟道晶体管，具有优异的性能参数。最大工作电压为-20V，最大工作电流为-4A。导通状态下的导通电阻（RDS

AP2625GY VBsemi mosfet datasheet
SIM800C原理图.pdf

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时间：2021.10.22

上传者：Argent

电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电、微机原理、信号处理等知识是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，

SIM800C 原理图 pdf
【BSN20-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：BSN20丝印：VB162K品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：0.3A-导通电阻：2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V-门源电压：2

BSN20 VBsemi sot23 mos datasheet
AOD4185 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AOD4185是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为10mΩ，在4.

AOD4185 VBsemi mosfet datasheet
【AO6400-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AO6400丝印：VB7322品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：6A-导通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(

AO6400 VBsemi sot236 mos datasheet
【RSQ045N03TR-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：RSQ045N03TR-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-

RSQ045N03TRVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【SI3460DV-T1-E3-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI3460DV-T1-E3-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：6A-开通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-阈值电压：20Vgs(±V

SI3460DVT1E3VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
IP113 系列收发器故障分析与解决方案

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

目前市面的以太网收发器多采用ICPlus+的IP113系列芯片，经比对后发现ICPlus+推荐的光模块接口（IP113应用电路）对于PECL电平接口的光模块是不正确的，120Ω/600Ω的偏置匹配会使
NTGD3148NT1G VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RD

NTGD3148NT1G VBsemi mosfet datasheet
SI2308BDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），

SI2308BDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
【DMP3020LSS-13-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：DMP3020LSS-13-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-11A-导通电阻（RDS(ON)

DMP3020LSS13VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet