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【SI3460DV-T1-E3-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI3460DV-T1-E3-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：6A-开通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-阈值电压：20Vgs(±V

SI3460DVT1E3VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
IP113 系列收发器故障分析与解决方案

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

目前市面的以太网收发器多采用ICPlus+的IP113系列芯片，经比对后发现ICPlus+推荐的光模块接口（IP113应用电路）对于PECL电平接口的光模块是不正确的，120Ω/600Ω的偏置匹配会使
NTGD3148NT1G VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RD

NTGD3148NT1G VBsemi mosfet datasheet
SI2308BDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），

SI2308BDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
【DMP3020LSS-13-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：DMP3020LSS-13-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-11A-导通电阻（RDS(ON)

DMP3020LSS13VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTGS4141NT1G-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTGS4141NT1G-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门

NTGS4141NT1GVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
FDD4141 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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FDD4141是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为10mΩ，在4.

FDD4141 VBsemi mosfet datasheet
【BSS138LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BSS138LT1G-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V,300

BSS138LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
灵动MM32系列开发板mb024pcb图

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时间：2020.05.07

上传者：星空下的屋顶

灵动MM32系列开发板mb024pcb图

灵动 MM32 系列开发板 mb024pcb
分享一款降压LED恒流驱动芯片-主要应用在汽车照明、LED摩托车、电动车灯 LED照明

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时间：2021.03.29

上传者：东莞市惠海半导体

分享一款降压LED恒流驱动芯片-主要应用在汽车照明、LED摩托车、电动车灯LED照明
AO6800 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了AO6800型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）

AO6800 VBsemi mosfet datasheet
SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）

SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
【Si2338DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：Si2338DS-T1-GE3丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：6.5A-RDS(ON)：30mΩ@10V，33mΩ@4.5V-门源电压范

Si2338DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
AO4421 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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AO4421（VBA2658）是VBsemi一种P沟道MOS型晶体管，封装为SOP8。它的产品参数包括：最大耐压为-60V，最大漏极电流为-6A，漏源电阻RDS(ON)为50mΩ（在10V时）和61m

AO4421 VBsemi mosfet datasheet
熔接光纤教程(图文指导)

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

熔接光纤教程(图文指导)随着网络的飞速发展，传统的10M，100M速度已经越来越满足不了人们日常学习工作的需要了。用户迫切希望提高网络速度，1000M是目标，但对于双绞线来说虽然可以使用六类线满足1G
IRLML2502TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为IRLML2502TRPBF的MOS管，丝印型号为VB1240。这款MOS管属于N沟道类型，适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数，最大承受电压为20V，最大工作电流为6A。

IRLML2502TRPBF VBsemi mosfet datasheet
TOSHIBA东芝 TK49N65W5 MOSFET产品规格书datasheet

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时间：2024.08.16

上传者：东芝铠侠代理

低漏源导通电阻（RDS(ON)）：TK49N65W5在标准条件下（VGS=10V,ID=24.6A）的典型RDS(ON)值仅为0.051Ω。这种低电阻确保了操作期间的功率损耗最小化，对于高效能电源和转

toshiba 东芝 TK49N65W5 mosfet 产品规格书 datasheet