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热门搜索： python HarmonyOS 嵌入式 电源 C语言 华为 电子竞赛 单片机 PCB
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  • 灵动MM32系列开发板mb025pcb图
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    时间：2020.05.07
    上传者：星空下的屋顶
    灵动MM32系列开发板mb025pcb图
    灵动 MM32 系列 开发板 mb025pcb
  • TD-SCDMA直放技术
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    TD-SCDMA直放技术
  • 【STB30NF20-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：STB30NF20-VB丝印：VBL1208N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：200V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V-门
    STB30NF20VB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
  • 灵动MM32系列开发板mb023pcb
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    时间：2020.05.07
    上传者：星空下的屋顶
    灵动MM32系列开发板mb023pcb图
    灵动 MM32 系列 开发板 mb023pcb
  • 【FDC5661N-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.28
    上传者：VBsemi
    FDC5661N详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：7A-导通电阻：30mΩ@10V,35mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1~3Vth(V)-封装类型：S
    FDC5661N VBsemi sot236 mos datasheet
  • 005電容表操作規程
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    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    操作步驟2.1讀數及量程2.1.1數顯電容表可直接由數字顯示屏讀出量測值，在測量中應注意參考誤差值。2.1.2電容表量程按自身標示範圍使用，不得超出其量程範圍進行測量。2.2測量前校零
  • 【STN3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：STN3PF06-VB丝印：VBJ2658品牌：VBsemi参数：-P沟道--60V--6.5A-RDS(ON)：58mΩ@10V,70mΩ@4.5V-20Vgs(±V)--1~-3Vth(V)
    STN3PF06VB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
  • 【SI6913DQ-T1-GE3-VB】2个P沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：225.2KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印：VBC6P3033品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.2A-导通电阻：33mΩ@10V,40mΩ@4.5V-
    SI6913DQT1GE3VB 2个 沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
  • HC-SR04超声波测距模块.pdf
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    时间：2021.04.25
    上传者：Argent
    电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻
    HCSR04 超声波测距模块 pdf
  • AP2306AGN VBssemi Datasheet
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    时间：2023.10.09
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号AP2306AGN，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS
    AP2306AGN VBssemi datasheet
  • NTR4503NT1G VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
    NTR4503NT1G VBsemi mosfet datasheet
  • 关于直流电机 H 桥驱动方案的选择
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    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    背景本文一直想留给做小车的同学去写，期望他们在制作过程中能够悟出其中的道理。可无奈等至今日也未见一文半字，却接到了无数的质询：你为何要用分立元件构建H桥驱动？为何不选择L298集成电路桥？为何要使用M
  • AO3400 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：222.34KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号AO3400，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS(ON
    ao3400 VBsemi mosfet datasheet
  • 数控云台proteus仿真+程序资料
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    时间：2019.06.05
    上传者：feiniao2008
    数控云台proteus仿真+程序资料
  • 1放大电路基础计算类
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    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    三种电路:共基,共发,共集以典型的共发射极为例:利用基极电流对集电极电流的控制作用可以实现放大作用(一)共发射极电路:T：NPN型晶体管,放大的核心部件EC：集电极回路直流电源提供C结反偏RC：集电极
  • 灵动MM32系列开发板mb022pcb
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    大小：220.19KB
    时间：2020.05.07
    上传者：星空下的屋顶
    灵动MM32系列开发板mb022pcb
    灵动 MM32 系列 开发板 mb022pcb
  • 1常用器件电路
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    大小：220KB
    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    运算放大器运算放大器主要用于信号的放大与处理，在分析与设计运算放大器电路时应该注意器件本身重要的三个基本特性：虚短、虚断、虚地。运算放大器基本应用电路：
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