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IRLML5203TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为IRLML5203TRPBF的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低

IRLML5203TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【NTD20N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：NTD20N06LT4G-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V，28mΩ@4.5V-硅极电压：20V

NTD20N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IPD26N06S2L-35-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IPD26N06S2L-35-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：60V-额定电流（Id）：45A-静态导通电阻（RDS(ON)）：2

IPD26N06S2L35VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI3477DV-T1-GE3-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：SI3477DV-T1-GE3丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电

SI3477DVT1GE3VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【FQU15N06L-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：FQU15N06L-VB 丝印：VBFB1630 品牌：VBsemi 参数：N沟道,60V,25A,RDS(ON),32mΩ@10V,36mΩ@4.5V,20Vgs

FQU15N06LVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【IRF5803TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

IRF5803TRPBF详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-导通电阻：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1~-3Vth

IRF5803TRPBFVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
AO3401 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种电路应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电阻为

ao3401 VBsemi mosfet datasheet
【NTGS3455T1G-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：NTGS3455T1G丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-4.8A-导通电阻：49mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源

NTGS3455T1G VBsemi sot236 mos datasheet
【APM4828KC-TRL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4828KC-TRL-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：12A-开通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10Vgs、15mΩ

APM4828KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【RRQ030P03TR-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：RRQ030P03TR丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电压范围：

RRQ030P03TRVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【AOD442-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

AOD442详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.8Vth(V)-封装类型：TO

AOD442 VBsemi TO252 mos datasheet
TB67S109AFNAG双极步进电机驱动芯片原理图

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时间：2024.01.03

上传者：人生折腾

TB67S109AFNAG双极步进电机驱动芯片

TB67S109AFNAG 双极步进电机驱动芯片原理图
【IRF5805TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF5805TRPBF-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：4

IRF5805TRPBFVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【PMN50XP-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：PMN50XP-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-4.8A-开启电阻：RDS(ON)=49mΩ@10V,54mΩ@4.5V

PMN50XPVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【RSS075P03TB-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS075P03TB-VB丝印:VBA2317品牌：VBsemi参数说明:-管道类型:P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-管道电阻(RDS(ON))：23mΩ@10V,29mΩ@4.

RSS075P03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
IRLR2705TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了其最新的N沟道MOS管型号，产品编号为IRLR2705TRPBF。该产品具有优异的性能参数，适用于多种应用场景。丝印型号为VBE1638，其特点包括工作电压高达60V，最大承载电流可

IRLR2705TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【FDC602P-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDC602P-VB丝印：VB8338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-4.8A-静态导通电阻（RDS(ON)）：49mΩ@1

FDC602PVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet