制造与封装-原理图资料下载_第17页-面包板社区

【ME9435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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型号：ME9435丝印：VBA2333品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-6A-导通电阻：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压：20V

ME9435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【BSS84-7-F-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：BSS84-7-F丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-0.5A-RDS(ON)：3000mΩ@10V，3680mΩ@4.5V-门源电压范

BSS847F VBsemi sot23 mos datasheet
【SI4435DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI4435DY-T1-E3(VBA2317)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-30V；最大电流：-7A；导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V；门源电压范围：20Vgs

SI4435DYT1E3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【IRF7416TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRF7416TRPBF(VBA2317)参数说明：P沟道，-30V，-7A，导通电阻23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.37V，封装：

IRF7416TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【BSP030-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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BSP030参数：N沟道,30V,7A,RDS(ON)25mΩ@10V,38mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.5Vth(V),SOT223应用简介：BSP030是一款适用于中高功率应用的N沟道M

BSP030 VBsemi SOT223 mos datasheet
【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如

STP30NF20 VBsemi to220 mos datasheet
【IRLR3110ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRLR3110ZPBF(VBE1101N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压3.2V，封装：TO252。应用简介：I

IRLR3110ZPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【SPD30P06PG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SPD30P06PG(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：S

SPD30P06PG VBsemi TO252 mos datasheet
【FR5305-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：FR5305丝印：VBE2625品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-50A-导通电阻：20mΩ@10V,25mΩ@4.5V-门源电压：20

FR5305 VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD240-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AOD240(VBE1405)参数说明：N沟道，40V，85A，导通电阻4mΩ@10V，5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.85V，封装：TO252。应用简介：AOD240适用于

AOD240 VBsemi TO252 mos datasheet
【FQU13N10L-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：FQU13N10L丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道 -额定电压：100V -额定电流：15A -RDS(ON)：115mΩ@10V

FQU13N10L VBsemi TO251 mos datasheet
【IRFR120NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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IRFR120NTRPBF(VBE1101M)参数说明：N沟道，100V，18A，导通电阻115mΩ@10V，121mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.6V，封装：TO252。应用

IRFR120NTRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【FDMC8026S-VB】N沟道DFN8(3X3)封装MOS管Datasheet

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FDMC8026S（VBQF1310）是一款电源应用型MOSFET产品，采用N沟道结构，封装为DFN8（3X3封装）。其参数包括：工作电压30V、最大电流40A、静态导通电阻RDS(ON)为11mΩ@

FDMC8026S VBsemi DFN83X3 mos datasheet
【IRLL110TRPBF-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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IRLL110TRPBF(VBJ1101M)参数说明：N沟道，100V，5A，导通电阻100mΩ@10V，120mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2~4V，封装：SOT223。应用简介：IR

IRLL110TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
【IRLR7843TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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IRLR7843TRPBF(VBE1303)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：100A；导通电阻：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.9V

IRLR7843TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【AOD409-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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AOD409(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：AOD40

AOD409 VBsemi TO252 mos datasheet
【NTD5806NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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NTD5806NT4G参数：N沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V);TO252；应用简介：NTD5806NT4G是一款N

NTD5806NT4G VBsemi TO252 mos datasheet