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刻蚀工艺.2
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时间:2020.03.11
上传者:2iot
刻蚀工艺§1基本概念刻蚀:就是通过物理和/或化学方法将下层材料中没有被上第七章刻蚀工艺层掩蔽膜材料掩蔽的部分去掉,从而在下层材料上获得与掩蔽膜图形完全对应的图形。岳瑞峰清华大学微电子学研究所微纳器件与
刻蚀工艺
品质因数
湿法刻蚀
薄膜淀积工艺(下)
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大小:585.23KB
时间:2020.03.11
上传者:微风DS
薄膜淀积工艺(下)……
薄膜淀积
物理气相
蒸发
薄膜淀积工艺(中)
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大小:461.03KB
时间:2020.03.11
上传者:238112554_qq
薄膜淀积工艺(中)……
薄膜淀积
化学气相淀积
cvd
isd4004datasheet
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时间:2020.03.11
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isd4004pdfdatasheetISD4004SERIESSINGLE-CHIP,MULTIPLE-MESSAGESVOICERECORD/PLAYBACKDEVICES8-,10-,12-,A
isd4004
pd
fdatasheet
Isd1110组件资料
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时间:2020.03.11
上传者:2iot
Isd1110组件资料ISD-1108ꆢ1110ꆢ14208쏫ꆢ10쏫ꆢ20쏫폯틴슼럅쳹욬ퟩ볾ISD쾵쇐폯틴슼럅ퟩ볾ꎬ쫇펦폃쒿잰벼쫵ퟮ쿈뷸뗄쏀맺ISD릫쮾떥욬폯틴뒦샭듳맦쒣벯돉뗧슷ISD쾵쇐캪뫋탄ꎬ쓚
isd1110
组件资料
Isd4003英文资料
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时间:2020.03.11
上传者:rdg1993
Isd4003英文资料!"!"!"#$"%%"&&'"!(')'*&+!(')'*&,-""(.*&-""(/*……
isd4003
英文资料
ISD4004芯片资料
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时间:2020.01.07
上传者:rdg1993
ISD4004芯片资料ISD4004系列单片语音录放电路一简述●单片8至16分钟语音录放●内置微控制器串行通信接口●3V单电源工作●多段信息处理●工作电流25-30mA,维持电流1μA●不耗电信息保存
isd4004
芯片
资料
T360SB英文资料
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时间:2020.03.11
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T360SB英文资料ISD-T360SBVoiceDSPDigitalSpeechProcessorwithFull-DuplexSpeakerphone,Master/SlaveCODECInter
t360sb
英文资料
\电子元件基础教程
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时间:2020.03.11
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\电子元件基础教程第一章:基本元件第一节电阻器??电阻,英文名resistance,通常缩写为R,它是导体的一种基本性质,与导体的尺寸、材料、温度有关。欧姆定律说,I=U/R,那么R=U/I,电阻的基
\电子元件
基础教程
FPGA_CPLD入门教程.pdf
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FPGA_CPLD入门教程.pdf……
fpga
cpld
教程
芯片查找工具
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芯片查找工具……
芯片
查找
工具
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芯片
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74LS20.pdf54LS20DM54LS20DM74LS20Dual4-InputNANDGatesJune198954LS20DM54LS20DM74LS20Dual4-InputNANDGat
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