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LG磁控管-2M214

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时间：2024.04.08

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LG磁控管-2M214参数资料

LG 70910
verilog_intr.pdf

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

verilogintrpdf
USB2.0的EMI和ESD设计(免费)

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时间：2020.02.27

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USB2PrintVersion页码，1/2技术文库欲打印此文章，从您的浏览器菜单中选择“文件”后再选“打印”。USB2.0的EMI和ESD设计上网时间：2005年09月09日提供双向、实时数据传输的

usb
FIR数字滤波器分布式算法的原理及FPGA实现.doc

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

fir 数字滤波器分布式算法原理 fpga 实现 doc
【TSM3404CX RF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：TSM3404CXRF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6.5A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-

TSM3404CX RFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NT2955G-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NT2955G(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用简介：NT2

NT2955G VBsemi TO252 mos datasheet
DM00095523.pdf

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时间：2021.09.24

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FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手

DM00095523pdf
【IRLMS6802TRPBF-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLMS6802TRPBF(VB8338)参数说明：P沟道，-30V，-4.8A，导通电阻49mΩ@10V，54mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT23-6。应用简

IRLMS6802TRPBF VBsemi sot236 mos datasheet
ANT8109功率5W防破音单声道 AB/D类双模音频功放

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时间：2021.04.02

上传者：sandtech168

ANT8109是一款超低EMI，高信噪比，防破音，5W单通道ClassAB/D双模音频功放。在5V电源条件下，驱动2Ω负载可以输出5W功率。

ANT8109 音频功放
【BSL302SN-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：BSL302SN-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门

BSL302SNVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
单片机原理与应用（免费）

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时间：2020.02.13

上传者：2iot

单片机原理与应用（免费）,单片机原理与应用……

单片机原理与
FPGACPLD入门教程ch1.pdf

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

fpgacpld 入门教程 ch1pdf
第一章FPGA_CPLD概述.pdf

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时间：2021.04.26

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随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

一章 fpgacpld 概述 pdf
【NTD12N10-1G-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD12N10-1G-VB丝印：VBFB1101M品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：100V-额定电流（Id）：15A-静态导通电阻（RDS(ON)）：1

NTD12N101GVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【FQT5P10-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：FQT5P10丝印：VBJ2102M品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-3A-RDS(ON)：200mΩ@10V，240mΩ@4.5V-门源电压范围：±

FQT5P10VB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明：P沟道，-30V，-26A，导通电阻33mΩ@10V，46mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用

APM3095PUCTRL VBsemi TO252 mos
【BS250FTA-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：BS250FTA丝印：VB264K品牌：VBsemi参数：P沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V,3680mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.87Vth(V)；

BS250FTAVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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