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【SI3460DV-T1-E3-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI3460DV-T1-E3-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：6A-开通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-阈值电压：20Vgs(±V

SI3460DVT1E3VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
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时间：2021.04.23

上传者：Argent

音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

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NTGD3148NT1G VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RD

NTGD3148NT1G VBsemi mosfet datasheet
免费:D类音效放大器的2W1H：What、Why & How

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时间：2020.02.12

上传者：rdg1993

D类音效放大器的2W1H：What、Why&HowD类音效放大器的2W1H：What、Why&How|音效放大器的来由||音效放大器的目的是在产生音效的输出元件上，忠实地、有效率地，以

类音效放大器
SI2308BDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），

SI2308BDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
【DMP3020LSS-13-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：DMP3020LSS-13-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-11A-导通电阻（RDS(ON)

DMP3020LSS13VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
高可靠性永磁交流伺服电机驱动器.pdf

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时间：2021.10.11

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从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻电容电感，每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想

可靠性永磁交流伺服电机驱动器 pdf
【NTGS4141NT1G-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTGS4141NT1G-VB丝印：VB7322品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：30V-最大电流：6A-静态开启电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V-门

NTGS4141NT1GVB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
M5230.pdf

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时间：2021.04.23

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音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

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FDD4141 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

FDD4141是一款P沟道MOS型的功率开关器件，其丝印型号为VBE2412，封装为TO252。该产品具备以下参数：最大承受电压为-40V，最大电流为-65A，导通阻抗在10V电压下为10mΩ，在4.

FDD4141 VBsemi mosfet datasheet
1602液晶使用说明.pdf

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时间：2020.06.24

上传者：Argent

有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

1602 液晶使用说明 pdf
【BSS138LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BSS138LT1G-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V,300

BSS138LT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
分享一款降压LED恒流驱动芯片-主要应用在汽车照明、LED摩托车、电动车灯 LED照明

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时间：2021.03.29

上传者：东莞市惠海半导体

分享一款降压LED恒流驱动芯片-主要应用在汽车照明、LED摩托车、电动车灯LED照明
AO6800 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了AO6800型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）

AO6800 VBsemi mosfet datasheet
SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）

SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
【Si2338DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：Si2338DS-T1-GE3丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：6.5A-RDS(ON)：30mΩ@10V，33mΩ@4.5V-门源电压范

Si2338DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
AO4421 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AO4421（VBA2658）是VBsemi一种P沟道MOS型晶体管，封装为SOP8。它的产品参数包括：最大耐压为-60V，最大漏极电流为-6A，漏源电阻RDS(ON)为50mΩ（在10V时）和61m

AO4421 VBsemi mosfet datasheet

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