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  • IRLML0060TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    IRLML0060TRPBF是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及
    IRLML0060TRPBF VBsemi mosfet datasheet
  • AP2310GN VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：246.91KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AP2310GN是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(
    AP2310GN VBsemi mosfet datasheet
  • 【AO4354-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：246.58KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    AO4354(VBA1303)参数说明：N沟道，30V，18A，导通电阻5mΩ@10V，6.5mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.72V，封装：SOP8。应用简介：AO4354是一
    AO4354 VBsemi SOP8 mos datasheet
  • ad7528.pdf
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    时间：2021.09.26
    上传者：Argent
    分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习
    ad7528pdf
  • a64 3G Dongle Support List.pdf
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    时间：2021.03.23
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    a64 3g Dongle support Listpdf
  • DDR的设计资料1
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    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    DIMMWiringDetailsSignalGroupsThisspecificationcategorizesDDRSDRAMtiming-criticalsignalsintofivegroup
  • 【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.01.03
    上传者：VBsemi
    型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压
    FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
  • Virtuoso a Custom Designer (VCD)
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    大小：244KB
    时间：2021.04.26
    上传者：Argent
    随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。
    virtuoso custom designer vcd
  • APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低导通电阻，
    APM2305AC VBsemi mosfet datasheet
  • 千锋_嵌入式高级编程之消息队列.pdf
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    时间：2021.09.29
    上传者：Argent
    电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电、微机原理、信号处理等知识是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，
    千锋 嵌入式 高级 编程 消息 队列 pdf
  • 2N7002ET1G-VB一种N沟道SOT23封装MOS管
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    大小：243.06KB
    时间：2023.12.19
    上传者：VBsemi
    型号：2N7002ET1G-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：0.3A-开通电阻（RDS(ON)）：2800mΩ@10Vgs、3000m
    2N7002ET1GVB VBsemi mosfet sot23 mos管
  • NJM5534.pdf
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    时间：2021.04.23
    上传者：Argent
    音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。
    NJM5534pdf
  • 微机接口讲义（免费）
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    大小：242.68KB
    时间：2020.02.14
    上传者：givh79_163.com
    微机接口讲义（免费）,微机接口……
    微机 接口
  • 【TPC6111-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号：TPC6111丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V
    TPC6111VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
  • 【IRFR9024TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：IRFR9024TRPBF-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-60V-最大漏源电流：-38A-开启电阻RDS(ON)：61mΩ@10V；72mΩ@4
    IRFR9024TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 【IRLR9343TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    IRLR9343TRPBF(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用
    IRLR9343TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
  • EMC电磁兼容性测试国标（免费）
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    时间：2020.02.27
    上传者：978461154_qq
    EMC电磁兼容性测试国标1.900/1800MHzTDMA数字蜂窝移动通信PDA手机EMC电磁兼容性测试1.1范围本标准规定了发送和接收语音和/或数据的第一阶段和第二段GSM900MHz和DCS180
    电磁 兼容 性测
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