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时间：2021.04.23

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音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

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SSM3J327R VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ

SSM3J327R VBsemi mosfet datasheet
FDN306P-NL VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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FDN306P-NL是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m

FDN306PNL VBsemi mosfet datasheet
AP2301N VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AP2301N是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在

AP2301N VBsemi mosfet datasheet
【IPD30N06S2L-13-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB，丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下：-电压：60V-电流：45A-开启电阻：24mΩ@10V,28mΩ@4.5

IPD30N06S2L13VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
磁场、磁感线、磁感应强度、磁通量

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时间：2022.03.10

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磁场、磁感线、磁感应强度、磁通量

磁场磁感磁感应强度磁通量
【STD35P6LLF6-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：STD35P6LLF6-VB-丝印：VBE2625-品牌：VBsemi-功能：P沟道功率MOSFET-最大工作电压：-60V-最大工作电流：-50A-开启电阻(RDS(ON))：

STD35P6LLF6VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
AO3415A VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

AO3415A是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ（在

AO3415A VBsemi mosfet datasheet
【IRFR4105ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

IRFR4105ZTRPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率场效应晶体管。它的丝印为VBE1638，具有以下详细参数：-额定电压：60V-额定电流：45A-静态电阻：24mΩ@10V,28mΩ

IRFR4105ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
Power Amplifier Design（免费）

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时间：2020.02.20

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PowerAmplifierDesignAccurateSimulationModelsYieldHighEfficiencyPowerAmplifierDesignSonokoAkamatsu,Ch

power amplifier Design
1127021273.pdf

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时间：2021.04.23

上传者：Argent

音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

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同步复位与异步复位【免费】

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时间：2020.02.13

上传者：微风DS

同步复位与异步复位【免费】,同步复位与异步复位……

同步复位与异
【STD16NF06LT4-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:STD16NF06LT4-VB丝印:VBE1638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:45A-静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ@10V,28m

STD16NF06LT4VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD24N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NTD24N06LT4G-VB-丝印：VBE1638-品牌：VBsemi-参数： -极性：N沟道 -额定电压：60V -额定电流：45A

NTD24N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
IRLML5203TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为IRLML5203TRPBF的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低

IRLML5203TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【NTD20N06LT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：NTD20N06LT4G-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：45A-导通电阻：24mΩ@10V，28mΩ@4.5V-硅极电压：20V

NTD20N06LT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
软件无线电在射频识别系统阅读器中的应用研究（免费，现在正在...

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时间：2020.02.19

上传者：16245458_qq.com

ruanjianwuxiandianhttp://www.paper.edu.cn软件无线电在射频识别系统阅读器中的应用研究鲍升华1，郭惠玲1,鲍旭清2,何红丽1，刘德芹（1.中国矿业大学(北京),1

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