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【TPC6111-VB】P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：TPC6111丝印：VB8338品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-4.8A-RDS(ON)：49mΩ@10V，54mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V

TPC6111VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【IRFR9024TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRFR9024TRPBF-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-60V-最大漏源电流：-38A-开启电阻RDS(ON)：61mΩ@10V；72mΩ@4

IRFR9024TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLR9343TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR9343TRPBF(VBE2610N)参数说明：P沟道，-60V，-38A，导通电阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用

IRLR9343TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
EMC电磁兼容性测试国标（免费）

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时间：2020.02.27

上传者：978461154_qq

EMC电磁兼容性测试国标1.900/1800MHzTDMA数字蜂窝移动通信PDA手机EMC电磁兼容性测试1.1范围本标准规定了发送和接收语音和/或数据的第一阶段和第二段GSM900MHz和DCS180

电磁兼容性测
【IRFR3410TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：IRFR3410TRPBF-VB-丝印：VBE1104N-品牌：VBsemi-类型：N沟道-最大电压（Vds）：100V-最大电流（Id）：40A-开态电阻（RDS(ON)）：3

IRFR3410TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDD3680-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDD3680-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：100V-额定电流（Id）：40A-静态导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@1

FDD3680VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
SI2305DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参

SI2305DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
SSM3J36FS VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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SSM3J36FS（VBTA2245N）是一款P沟道MOS型晶体管，采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ，在2.5

SSM3J36FS VBsemi mosfet datasheet
IRLML6402TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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IRLML6402TRPBF是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数

IRLML6402TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【IRFR3710ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:IRFR3710ZTRPBF-VB丝印:VBE1102N品牌:VBsemi详细参数说明:-管脚类型:TO252-极性:N沟道-额定电压:100V-额定电流:45A-静态电阻:18mΩ@10V,2

IRFR3710ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
LCD方面,免费

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时间：2020.02.13

上传者：微风DS

HowtocontrolaHD44780http://home.iae.nl/users/pouweha/lcd/lcd0.shtmlHowtocontrolaHD44780-basedCharact

control hd44780
【Si1922EDH-T1-GE3-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：Si1922EDH-T1-GE3-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：2A-静态导通电阻（RDS(ON

Si1922EDHT1GE3VB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
IRLML2244TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

IRLML2244TRPBF是VBsemi品牌引进的P沟道MOSFET产品，标志型号为VB2290；它采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为20V，额定电流为-4A，RDS（ON）参数为5

IRLML2244TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【NTJD4001NT1G-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:NTJD4001NT1G-VB丝印:VBK3215N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:20V-最大电流:2A-静态导通电阻(RDS(ON)):150mΩ@4.5V,1

NTJD4001NT1GVB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
SI2333DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参

SI2333DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
UT2301G-AE3-R VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为

UT2301GAE3R VBsemi mosfet datasheet
DMP2215L-7 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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DMP2215L-7是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m

DMP2215L7 VBsemi mosfet datasheet

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