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IEC62471-2006-灯和灯系统的光生物安全性
所需E币:5
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大小:808.11KB
时间:2019.06.27
上传者:忆轻狂
灯和类似灯能发射可见光的系统,对于人体的安全性评估标准,叫光生物学测试,主要包含蓝光对人体组织的伤害、红光对眼睛的伤害等内容
光生物安全性
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
所需E币:2
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大小:538.48KB
时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:244.18KB
时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:FDC3512丝印:VB7101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:3.2A-导通电阻:100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压
FDC3512
VBsemi
sot236
mos
datasheet
业界广泛使用的LLC原理与设计
所需E币:2
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大小:856.5KB
时间:2019.06.14
上传者:feiniao2008
LLC已经作为一种优秀的拓扑被业界所广泛的接受和使用。不得不感慨技术发展的速度。也正说明了LLC是一种非常优秀的拓扑,才能在如此短的时间里得到大家的认可。虽然今天LLC已经被广泛的使用,但工作中发现很
A
c
tel杯’中国大学生电子设计竞赛《蚕种催青自动化测控系统》
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时间:2019.06.03
上传者:feiniao2008
此软件为参加周立功单片机‘A
c
tel杯’中国大学生电子设计竞赛《蚕种催青自动化测控系统》电脑终端。安装方法:运行文件夹“蚕种催青自动化测控系统电脑终端”内setup.exe既可。需要电脑与设备之间用一
【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:288.81KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
SI2333CDS-T1-GE3参数:P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介:SI2333CDS
SI2333CDST1GE3
VBsemi
sot23
mos
datasheet
调光电路Protel工程电路原理图及PCB文件
所需E币:4
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大小:41.79KB
时间:2023.01.09
上传者:张红川
调光电路Protel工程电路原理图及PCB文件
调光
电路
protel
工程
电路原理图
pcb
文件
开关电源EMC设计实用技术
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大小:20.66MB
时间:2019.06.26
上传者:feiniao2008
开关电源EMC设计实用技术
锂电池安全标准国标+IEC
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大小:4.89MB
时间:2019.06.27
上传者:忆轻狂
锂电池安全标准国标+IEC+航空运输安全标准
安全标准
锂电池
超低功耗LCD液晶显示驱动芯片-VKL060 SSOP24资料
所需E币:0
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大小:1.4MB
时间:2021.11.30
上传者:crh18824662436
高抗干扰LCD液晶控制器及驱动系列:VK2C21A 2.4~5.5V 20seg*4
c
om16*8  
24
c
02.pdf
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大小:413.41KB
时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
24c02pdf
APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:243.76KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管,丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品,适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V,可承受-5.6A的电流,具有低导通电阻,
APM2305AC
VBsemi
mosfet
datasheet
ES_LPC18X0.pdf
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时间:2021.09.24
上传者:Argent
FPGA是一个技术密集型的行业,没有坚实的技术功底,很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间,嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理,包括快速读懂数据手册,搜集了部分数据手
ESLPC18X0pdf
MMA7660FC.pdf
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大小:770.12KB
时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
MMA7660FCpdf
SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小:255.12KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V,额定电流为6A,RDS(ON)参数为24mΩ(在4.5V下)和33mΩ(在2.5V下)
SI2312CDST1GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用
SI2323CDST1GE3
VBsemi
sot23
mos
TOSHIBA东芝74VHC74FT产品规格书datasheet
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时间:2024.08.16
上传者:东芝铠侠代理
高速运行74VHC74FT在5V供电时的典型最大时钟频率为170MHz,非常适合用于高速数字电路。它的速度可与双极性肖特基TTL相媲美,同时保持了CMOS技术的低功耗特性。低功耗该器件在25°C时的最
toshiba
东芝
74VHC74FT
产品
规格书
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