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  • 【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    大小：244.18KB
    时间：2024.01.03
    上传者：VBsemi
    型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压
    FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
  • 业界广泛使用的LLC原理与设计
    所需E币：2
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    大小：856.5KB
    时间：2019.06.14
    上传者：feiniao2008
    LLC已经作为一种优秀的拓扑被业界所广泛的接受和使用。不得不感慨技术发展的速度。也正说明了LLC是一种非常优秀的拓扑，才能在如此短的时间里得到大家的认可。虽然今天LLC已经被广泛的使用，但工作中发现很
  • Actel杯’中国大学生电子设计竞赛《蚕种催青自动化测控系统》
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    大小：1.2MB
    时间：2019.06.03
    上传者：feiniao2008
    此软件为参加周立功单片机‘Actel杯’中国大学生电子设计竞赛《蚕种催青自动化测控系统》电脑终端。安装方法：运行文件夹“蚕种催青自动化测控系统电脑终端”内setup.exe既可。需要电脑与设备之间用一
  • 【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    大小：288.81KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS
    SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
  • EMC传导干扰滤波电路的设计
    所需E币：5
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    大小：4.52MB
    时间：2019.06.25
    上传者：feiniao2008
    EMC传导干扰滤波电路的设计
  • 电子产品认证检测中的EMC问题及其分析
    所需E币：3
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    大小：4.64MB
    时间：2019.06.25
    上传者：feiniao2008
    电子产品认证检测中的EMC问题及其分析
  • 锂电池安全标准国标+IEC
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    大小：4.89MB
    时间：2019.06.27
    上传者：忆轻狂
    锂电池安全标准国标+IEC+航空运输安全标准
    安全标准 锂电池
  • 开关电源EMC设计实用技术
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    时间：2019.06.26
    上传者：feiniao2008
    开关电源EMC设计实用技术
  • 超低功耗LCD液晶显示驱动芯片-VKL060 SSOP24资料
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    大小：1.4MB
    时间：2021.11.30
    上传者：crh18824662436
    高抗干扰LCD液晶控制器及驱动系列:VK2C21A  2.4～5.5V  20seg*4com16*8     
  • 24c02.pdf
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    大小：413.41KB
    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
    有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
    24c02pdf
  • APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：243.76KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低导通电阻，
    APM2305AC VBsemi mosfet datasheet
  • ES_LPC18X0.pdf
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    大小：81.61KB
    时间：2021.09.24
    上传者：Argent
    FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手
    ESLPC18X0pdf
  • MMA7660FC.pdf
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    大小：770.12KB
    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    MMA7660FCpdf
  • SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：255.12KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）
    SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
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    大小：296.06KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用
    SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
  • TOSHIBA东芝74VHC74FT产品规格书datasheet
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    大小：172.04KB
    时间：2024.08.16
    上传者：东芝铠侠代理
    高速运行74VHC74FT在5V供电时的典型最大时钟频率为170MHz，非常适合用于高速数字电路。它的速度可与双极性肖特基TTL相媲美，同时保持了CMOS技术的低功耗特性。低功耗该器件在25°C时的最
    toshiba 东芝 74VHC74FT 产品 规格书 datasheet
  • TOSHIBA东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC产品规格书datasheet
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    大小：1.08MB
    时间：2024.07.18
    上传者：东芝铠侠代理
    B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
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