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Toshiba东芝TB62269FTG两相双极步进电机驱动IC 产品规格书datasheet

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时间：2024.09.19

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单芯片驱动两相双极步进电机TB62269FTG可通过单芯片实现对两相双极步进电机的驱动，极大简化了电机驱动电路的设计，同时节省了电路板空间。PWM控制的恒流驱动该芯片采用PWM恒流控制方式，能够精确控
Toshiba东芝TB62214AFTG双全桥驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.08.23

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高电压和电流能力TB62214AFTG能够在最高40V电压下运行，并能处理每通道高达1.5A的电流（峰值2.5A），为苛刻的电机控制应用提供了充足的余量。这使其特别适合需要高扭矩和高速的应用。低导通电

toshiba 东芝 TB62214AFTG 全桥驱动 ic 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝74VHC74FT产品规格书datasheet

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时间：2024.08.16

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高速运行74VHC74FT在5V供电时的典型最大时钟频率为170MHz，非常适合用于高速数字电路。它的速度可与双极性肖特基TTL相媲美，同时保持了CMOS技术的低功耗特性。低功耗该器件在25°C时的最

toshiba 东芝 74VHC74FT 产品规格书 datasheet
Toshiba东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet

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时间：2024.07.18

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B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
TOSHIBA东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.18

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B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
TOSHIBA东芝TB67S128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.05

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关键特性包括：BiCD工艺集成：确保高效率和可靠性。PWM斩波控制：实现精确的电流控制。宽步进分辨率：支持全步、半步、1/4步、1/8步、1/16步、1/32步、1/64步和1/128步操作。高电压和

toshiba 东芝 TB67S128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
东芝TB5128FTG步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.06.17

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TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性：BiCD工艺集成：在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺，提升性能。多功能电机控制：能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。

东芝 TB5128FTG 步进电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI1308EDL-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI1308EDL-VB丝印：VBK1270品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：4A-开态电阻：45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V-门源电压范围：

SI1308EDLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2

APM1403ASCTRLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【SM4307PSKC-TRG-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SM4307PSKC-TRG-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-工作电压：-30V-工作电流：-11A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs

SM4307PSKCTRGVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SSC8035GS6-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SSC8035GS6-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大耐压：-30V-最大漏极电流：-5.6A-漏极-源极电阻：47mΩ@10V、56mΩ@4.5V-最大栅极

SSC8035GS6VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【APM4927KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

APM4927KC-TRL-VB是一款由VBsemi品牌生产的型号，其丝印为VBA4317。该器件是一款双P沟道功率场效应晶体管，主要参数如下：-额定电压：-30V-额定电流：-8.5A-RDS(ON

APM4927KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ZXMC4559DN8TA-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：ZXMC4559DN8TA-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-工作电压：±60V-电流：6.5/-5A-开态电阻：RDS(ON)为28/51

ZXMC4559DN8TAVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±

AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AM4599C-T1-PF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：AM4599C-T1-PF-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大工作电压：±60V-最大工作电流：6.5A（正向）/-5A（反向）-RDS(

AM4599CT1PFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDC6312P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：FDC6312P-VB-丝印：VB4290-品牌：VBsemi-参数： -2个P沟道 -工作电压：-20V -工作电流：-4A -导通电阻

FDC6312PVB 2个沟道 sot236 封装 mos datasheet

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