消费电子-原理图资料下载_第6页-面包板社区

ES_LPC18X0.pdf

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时间：2021.09.24

上传者：Argent

FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手

ESLPC18X0pdf
MMA7660FC.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

MMA7660FCpdf
SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）

SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
TOSHIBA东芝74VHC74FT产品规格书datasheet

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时间：2024.08.16

上传者：东芝铠侠代理

高速运行74VHC74FT在5V供电时的典型最大时钟频率为170MHz，非常适合用于高速数字电路。它的速度可与双极性肖特基TTL相媲美，同时保持了CMOS技术的低功耗特性。低功耗该器件在25°C时的最

toshiba 东芝 74VHC74FT 产品规格书 datasheet
TOSHIBA东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.18

上传者：东芝铠侠代理

B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
VK1626最大32SEG×4COM-LCD驱动芯片(IC)资料分享

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时间：2021.11.10

上传者：crh18824662436

特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器（上电默认）•可外接32kHz时钟源（OSCI）•偏置电压（BIAS）固定为1/5•COM周期（DUTY）固定为1/16•内置显示RAM为48x

VK1626 最大 32SEG 4COMLCD 驱动芯片 ic 资料分享
VKL076是超低功耗LCD液晶驱动芯片-超低工作电流，低休眠电流

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时间：2021.11.30

上传者：crh18824662436

VKL076 SSOP28是字段式液晶显示驱动芯片。功能特点:★液晶驱动输出：Common输出4线；Segment输出15线★内置DisplaydataRAM(DDRAM)★内置RAM容量：

VKL076 超低功耗 lcd 液晶驱动芯片超低工作电流休眠电流
【2N7002WT1G-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2N7002WT1G-VB丝印：VBK162K品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：0.35A-导通电阻（RDS(ON)）：1800mΩ@10V,2

2N7002WT1GVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
【AM4599C-T1-PF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：AM4599C-T1-PF-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大工作电压：±60V-最大工作电流：6.5A（正向）/-5A（反向）-RDS(

AM4599CT1PFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO7407-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO7407丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-RDS(ON)：98mΩ@4.5V，117.6mΩ@2.5V-门源电压范围：12

AO7407VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AO7414-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO7414-VB-丝印:VBK1270-品牌:VBsemi-参数:N沟道,20V,4A,RDS(ON):45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±

AO7414VB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AO7800-VB】2个N沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO7800-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi参数：-类型：2个N沟道-最大耐压：20V-最大电流：2A-静态开启电阻(RDS(ON))：150mΩ@4.5V,170mΩ@2.5V-

AO7800VB 2个沟道 SC706 封装 mos datasheet
【APM2054NUC-TRL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2054NUC-TRL-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V

APM2054NUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM2300CAC-TRL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2300CAC-TRL-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：20V-最大持续电流：6A-开通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5Vgs、33mΩ

APM2300CACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【APM2301AC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2301AC-TRL-VB 丝印：VB2290 品牌：VBsemi 参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-开通电阻：57

APM2301ACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet

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