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  • XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器
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    时间：2023.10.23
    上传者：国兴顺电子郑生
    XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC
    XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
  • 【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2
    APM1403ASCTRLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
  • 【FDC3512-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.01.03
    上传者：VBsemi
    型号：FDC3512丝印：VB7101M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：3.2A-导通电阻：100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压
    FDC3512 VBsemi sot236 mos datasheet
  • 【SI2333CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    SI2333CDS-T1-GE3参数：P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介：SI2333CDS
    SI2333CDST1GE3 VBsemi sot23 mos datasheet
  • 超低功耗LCD液晶显示驱动芯片-VKL060 SSOP24资料
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    大小：1.4MB
    时间：2021.11.30
    上传者：crh18824662436
    高抗干扰LCD液晶控制器及驱动系列:VK2C21A  2.4～5.5V  20seg*4com16*8     
  • 静态显示LCD驱动芯片VKS232用于高显示品质产品，对比度好、不闪烁、可视角大
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    时间：2021.12.06
    上传者：crh18824662436
    VKS118概述：VKS118是一个点阵式存储映射的LCD驱动器，可支持静态扫描点数最大118点（118SEGx1COM）的LCD屏。单片机可通过5线串行接口配置显示参数和读写显示数据，也可通过指令进
  • 24c02.pdf
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    大小：413.41KB
    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
    有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
    24c02pdf
  • 24lc01.pdf
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    大小：159.21KB
    时间：2021.09.26
    上传者：Argent
    分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习
    24lc01pdf
  • 2SC3357.pdf
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    时间：2021.09.26
    上传者：Argent
    分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习
    2SC3357pdf
  • APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：243.76KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管，丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品，适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V，可承受-5.6A的电流，具有低导通电阻，
    APM2305AC VBsemi mosfet datasheet
  • APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明：P沟道，-30V，-26A，导通电阻33mΩ@10V，46mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.3V，封装：TO252。应用
    APM3095PUCTRL VBsemi TO252 mos
  • AT24C02A.pdf
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    大小：200.52KB
    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
    有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
    AT24C02Apdf
  • ES_LPC18X0.pdf
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    时间：2021.09.24
    上传者：Argent
    FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手
    ESLPC18X0pdf
  • FDC5614P VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管，其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管，具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V，最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻（RD
    FDC5614P VBsemi mosfet datasheet
  • MMA7660FC.pdf
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    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    MMA7660FCpdf
  • SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）
    SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
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    大小：296.06KB
    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用
    SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
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