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    时间:2023.10.23
    上传者:国兴顺电子郑生
    XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery(PD3.0)以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC
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    时间:2024.04.08
    上传者:VBsemi
    详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2
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    时间:2024.01.03
    上传者:VBsemi
    型号:FDC3512丝印:VB7101M品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N沟道MOSFET-最大耐压:100V-最大电流:3.2A-导通电阻:100mΩ@10V,127mΩ@4.5V-门源电压
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    时间:2023.12.27
    上传者:VBsemi
    SI2333CDS-T1-GE3参数:P沟道,-20V,-4A,RDS(ON)57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V),-0.81Vth(V),SOT23应用简介:SI2333CDS
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    时间:2021.11.30
    上传者:crh18824662436
    高抗干扰LCD液晶控制器及驱动系列:VK2C21A  2.4~5.5V  20seg*4com16*8     
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    时间:2020.06.24
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    有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
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    时间:2021.09.26
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    分享一下关于单片机的相关资料文档,感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础,相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术,掌握无线智能开发,了解蓝牙底层及上层应用开发,协议栈的问题需要不断学习
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    时间:2021.09.26
    上传者:Argent
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管,丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品,适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V,可承受-5.6A的电流,具有低导通电阻,
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    时间:2023.12.27
    上传者:VBsemi
    APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明:P沟道,-30V,-26A,导通电阻33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应用
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    时间:2020.06.24
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    有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
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    时间:2021.09.24
    上传者:Argent
    FPGA是一个技术密集型的行业,没有坚实的技术功底,很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间,嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理,包括快速读懂数据手册,搜集了部分数据手
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了FDC5614P型号的MOS管,其丝印型号为VB8658。这款MOS管是P沟道晶体管,具有优秀的性能参数。最大工作电压为-60V,最大工作电流为-6.5A。导通状态下的导通电阻(RD
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    时间:2021.03.26
    上传者:Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V,额定电流为6A,RDS(ON)参数为24mΩ(在4.5V下)和33mΩ(在2.5V下)
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    时间:2023.12.27
    上传者:VBsemi
    SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用
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    时间:2024.08.16
    上传者:东芝铠侠代理
    高速运行74VHC74FT在5V供电时的典型最大时钟频率为170MHz,非常适合用于高速数字电路。它的速度可与双极性肖特基TTL相媲美,同时保持了CMOS技术的低功耗特性。低功耗该器件在25°C时的最