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ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20

ZXMP10A17GTA VBsemi mosfet datasheet
【STD25N10F7-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STD25N10F7-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：100V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V-

STD25N10F7VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BF1107-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BF1107-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

BF1107VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
IRFL9110TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为IRFL9110TRPBF的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为2

IRFL9110TRPBF VBsemi mosfet datasheet
【AOI444-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOI444(VBFB1630)参数说明：N沟道，60V，25A，导通电阻32mΩ@10V，36mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2.4V，封装：TO251。应用简介：AOI444适

AOI444 VBsemi TO251 mos datasheet
【SM3113NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：SM3113NSUC-TRG-VB-丝印：VBE1303-品牌：VBsemi-类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V

SM3113NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD4965NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD4965NT4G-VB丝印：VBE1303品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：100A-导通电阻（RDS(ON)）：2mΩ@10V,3mΩ@

NTD4965NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLML6346TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLML6346TRPBF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：6.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,33m

IRLML6346TRPBFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NTD4863NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD4863NT4G-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：60A-静态开启电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,11mΩ@4

NTD4863NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ISL9N308AD3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ISL9N308AD3-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：60A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，1

ISL9N308AD3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AM4930N-T1-PF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AM4930N-T1-PF-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：6.8A和6.0A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：

AM4930NT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STD30NF04LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：STD30NF04LT-VB丝印：VBE1410品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：40V-最大持续电流（Id）：50A-导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,1

STD30NF04LTVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTF2955T1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NTF2955T1G(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：NT

NTF2955T1G VBsemi SOT223 mos datasheet
【IRFL9014TRPBF-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRFL9014TRPBF(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围-1~-3V，封装：SOT

IRFL9014TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
【AP4575GM-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AP4575GM-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi**详细参数说明:**-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±60V-额定电流:6.5A(正向)/-5A(反向)-导通电阻(RDS(ON)

AP4575GMVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO3400A-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AO3400A-VB丝印:VB1330品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:6.5A-静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

AO3400AVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
数控直流电流源资料

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时间：2019.06.05

上传者：feiniao2008

本设计由三个部分组成，键盘与显示，基于单片机的控制器，稳流电源。以89C52为主控单元，以数模转换器DAC0832输出参考电压，以该参考电压控制电压转换模块LM350K的输出电压大小，设计实用，精度高